Transistors - Bipolar (BJT) - Matrius | Productes de semiconductors discrets | 6

NSV40302PDR2G

Stock Part: 172467

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

Cessió

ON Semiconductor

NSVT3904DXV6T1G

Stock Part: 128900

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió

ON Semiconductor

FMBA14

Stock Part: 179794

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Cessió

ON Semiconductor

NSM4002MR6T1G

Stock Part: 171582

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V / 250 @ 100mA, 1V,

Cessió

ON Semiconductor

NSVT45011MW6T3G

Stock Part: 174696

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió

ON Semiconductor

NST30010MXV6T1G

Stock Part: 190901

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió

ON Semiconductor

NST3904DXV6T1G

Stock Part: 101109

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió

ON Semiconductor

SHN1B01FDW1T1G

Stock Part: 160441

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 2µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió

ON Semiconductor

SBC847CDW1T1G

Stock Part: 146654

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió

ON Semiconductor

NSVEMT1DXV6T5G

Stock Part: 197370

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500pA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Cessió

ON Semiconductor

SBC856BDW1T3G

Stock Part: 108317

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Cessió

ON Semiconductor

NSVEMX1DXV6T1G

Stock Part: 103172

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Cessió

ON Semiconductor

NST45011MW6T1G

Stock Part: 182701

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió

ON Semiconductor

CPH5506-TL-E

Stock Part: 120064

Tipus de transistor: NPN, PNP (Emitter Coupled), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA / 375mV @ 15mA, 750mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Cessió

ON Semiconductor

SBC846BPDW1T2G

Stock Part: 175944

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió

ON Semiconductor

NST3946DP6T5G

Stock Part: 152851

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió

ON Semiconductor

CPH5505-TL-E

Stock Part: 166597

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 230mV @ 30mA, 1.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Cessió

ON Semiconductor

NSVBC848CDW1T1G

Stock Part: 125941

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió

ON Semiconductor

NSV40300MDR2G

Stock Part: 148007

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

Cessió

ON Semiconductor

EMT1DXV6T1

Stock Part: 4480

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Cessió

ON Semiconductor

NST847BDP6T5G

Stock Part: 165488

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió

ON Semiconductor

NST65010MW6T1G

Stock Part: 196459

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Cessió

ON Semiconductor

NST847BPDP6T5G

Stock Part: 170917

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V,

Cessió

ON Semiconductor

SBC847BPDW1T1G

Stock Part: 147868

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió

ON Semiconductor

FMB5551

Stock Part: 161037

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 160V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

ON Semiconductor

NST3946DXV6T1

Stock Part: 4567

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió

ON Semiconductor

EMT1DXV6T1G

Stock Part: 161432

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Cessió

ON Semiconductor

FMB3946

Stock Part: 109471

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió

ON Semiconductor

MBT6429DW1T1

Stock Part: 4478

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V,

Cessió

ON Semiconductor

ECH8502-TL-H

Stock Part: 196927

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 120mV @ 125mA, 2.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Cessió

ON Semiconductor

ECH8501-TL-H

Stock Part: 192899

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 110mV @ 125mA, 2.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Cessió

ON Semiconductor

FMB2907A

Stock Part: 153935

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 20nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió

ON Semiconductor

CPH5541-TL-E

Stock Part: 131817

Tipus de transistor: NPN, PNP (Emitter Coupled), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 700mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

Cessió

ON Semiconductor

NSVT3946DP6T5G

Stock Part: 194061

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V / 100 @ 10mA, 1V,

Cessió

ON Semiconductor

EMX2DXV6T5G

Stock Part: 131066

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Cessió

ON Semiconductor

NST65011MW6T1G

Stock Part: 154437

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió