Diodes - Rectificadors - Individuals

IDC05S60CEX1SA1

Stock Part: 2377

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH02G65C5XKSA1

Stock Part: 5266

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 2A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDK09G65C5XTMA1

Stock Part: 2371

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 9A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 9A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDC08S60CEX1SA2

Stock Part: 2399

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDL02G65C5XUMA1

Stock Part: 2331

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 2A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDP30E120XKSA1

Stock Part: 34878

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.15V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 243ns,

IDB06S60CATMA2

Stock Part: 2626

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH101DB6

Stock Part: 2341

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.7V @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 360ns,

IRD3CH24DF6

Stock Part: 2382

IDK12G65C5XTMA1

Stock Part: 2311

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDC04S60CEX7SA1

Stock Part: 2434

IDL04G65C5XUMA1

Stock Part: 2353

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 4A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDW75E60FKSA1

Stock Part: 1516

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2V @ 75A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 121ns,

IDK06G65C5XTMA1

Stock Part: 2335

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH11DF6

Stock Part: 2342

IDW40G65C5XKSA1

Stock Part: 4319

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 40A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDC08S60CEX7SA1

Stock Part: 2440

IDW15S120FKSA1

Stock Part: 2436

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 15A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH12G65C5XKSA1

Stock Part: 2289

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

D1050N14TXPSA1

Stock Part: 2299

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1050A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1000A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH12G65C6XKSA1

Stock Part: 12700

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 27A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH82DB6

Stock Part: 5258

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.7V @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 355ns,

IDL08G65C5XUMA1

Stock Part: 2367

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH24DD6

Stock Part: 5312

IDW15E65D2FKSA1

Stock Part: 41876

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 47ns,

IRD3CH53DF6

Stock Part: 2322

D1050N16TXPSA1

Stock Part: 2266

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1050A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1000A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH20G65C6XKSA1

Stock Part: 8465

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 41A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH24DB6

Stock Part: 5317

IRD3CH16DF6

Stock Part: 2362

IDW10G65C5XKSA1

Stock Part: 12731

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH101DF6

Stock Part: 2365

IDK10G65C5XTMA1

Stock Part: 2337

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH16G120C5XKSA1

Stock Part: 6043

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.95V @ 16A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH31DF6

Stock Part: 2321

IRD3CH42DF6

Stock Part: 2347