Diodes - Rectificadors - Individuals

IDH08G65C5XKSA2

Stock Part: 17096

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDK05G65C5XTMA2

Stock Part: 51817

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

GATELEADWHRD762XPSA1

Stock Part: 194

IDH04G65C6XKSA1

Stock Part: 31780

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 4A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

GATELEADWHBK750XXPSA1

Stock Part: 166

IDH03G65C5XKSA2

Stock Part: 38597

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 3A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDL08G65C5XUMA2

Stock Part: 167

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDK04G65C5XTMA2

Stock Part: 62465

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 4A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH02G65C5XKSA2

Stock Part: 207

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 2A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH04SG60CXKSA2

Stock Part: 216

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 4A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDD05SG60CXTMA2

Stock Part: 148

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDK08G65C5XTMA2

Stock Part: 219

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH03SG60CXKSA2

Stock Part: 141

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 3A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH05G65C5XKSA2

Stock Part: 217

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDK03G65C5XTMA2

Stock Part: 78467

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 3A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDL06G65C5XUMA2

Stock Part: 164

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDD04SG60CXTMA2

Stock Part: 217

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 4A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDL02G65C5XUMA2

Stock Part: 197

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 2A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

GATELEADWHBU445XXPSA1

Stock Part: 130

GATELEADMPWHPK1258XXPSA1

Stock Part: 222

IDW30G65C5XKSA1

Stock Part: 5618

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 30A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDW24G65C5BXKSA2

Stock Part: 8231

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH10G65C5XKSA2

Stock Part: 13701

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH05SG60CXKSA2

Stock Part: 169

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDK09G65C5XTMA2

Stock Part: 28769

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 9A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 9A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDW20G65C5BXKSA2

Stock Part: 9329

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

GATELEADWHBN661XXPSA1

Stock Part: 133

IDL04G65C5XUMA2

Stock Part: 178

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 4A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDW20G65C5XKSA1

Stock Part: 7363

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDW40G65C5BXKSA2

Stock Part: 4935

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDD03SG60CXTMA2

Stock Part: 202

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 3A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH16G65C5XKSA2

Stock Part: 9608

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 16A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH06G65C6XKSA1

Stock Part: 25253

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDP30E65D1XKSA1

Stock Part: 46102

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 64ns,

IDP1301GXUMA1

Stock Part: 50176

D911SH45T

Stock Part: 250

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 4500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1140A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 6V @ 2500A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),