Diodes - Rectificadors - Individuals

IRD3CH31DD6

Stock Part: 2359

D770N14TXPSA1

Stock Part: 2110

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 770A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.08V @ 400A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDV30E65D2XKSA1

Stock Part: 46154

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 42ns,

IDV20E65D1XKSA1

Stock Part: 47923

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 28A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 42ns,

IDH08G65C6XKSA1

Stock Part: 18927

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

D770N12TXPSA1

Stock Part: 2033

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 770A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.08V @ 400A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1050N12TXPSA1

Stock Part: 2267

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1050A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1000A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDP08E65D1XKSA1

Stock Part: 67894

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 80ns,

D770N20TXPSA1

Stock Part: 2099

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 2000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 770A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.08V @ 400A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D820N20TXPSA1

Stock Part: 2264

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 2000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 820A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 750A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH05G120C5XKSA1

Stock Part: 13098

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH10G120C5XKSA1

Stock Part: 8281

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDP15E65D2XKSA1

Stock Part: 59599

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 47ns,

IDW12G65C5XKSA1

Stock Part: 12018

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH20G120C5XKSA1

Stock Part: 4502

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 56A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDV06S60CXKSA1

Stock Part: 1555

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

HFA15PB60PBF

Stock Part: 26323

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

IDH06G65C5XKSA1

Stock Part: 1624

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDW30G65C5FKSA1

Stock Part: 1668

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 30A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDW10G65C5FKSA1

Stock Part: 1640

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDB12E120ATMA1

Stock Part: 1490

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 28A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.15V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

IDP09E120

Stock Part: 1554

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 23A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.15V @ 9A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

IDH20G65C5XKSA1

Stock Part: 1630

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDB23E60ATMA1

Stock Part: 1521

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 41A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2V @ 23A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 120ns,

IDD03SG60CXTMA1

Stock Part: 1478

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 3A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDB15E60

Stock Part: 1514

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 29.2A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 87ns,

IDH03G65C5XKSA1

Stock Part: 1609

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 3A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDV05S60CXKSA1

Stock Part: 1514

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDW16G65C5FKSA1

Stock Part: 5259

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 16A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDP06E60

Stock Part: 1466

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 14.7A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 70ns,

IDH08G65C5XKSA1

Stock Part: 1682

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDB45E60ATMA1

Stock Part: 1500

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 71A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2V @ 45A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

IDW12G65C5FKSA1

Stock Part: 1666

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH09G65C5XKSA1

Stock Part: 1642

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 9A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 9A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH10G65C6XKSA1

Stock Part: 15125

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 24A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDV30E60C

Stock Part: 5572

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 21A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.05V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 130ns,