Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
IDH15S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH15S120AKSA1

Stock Part: 889

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 15A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDD12SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD12SG60CXTMA1

Stock Part: 20456

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDH04SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH04SG60CXKSA1

Stock Part: 817

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 4A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDH05S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH05S120AKSA1

Stock Part: 891

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDH03SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH03SG60CXKSA1

Stock Part: 855

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 3A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDH05SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH05SG60CXKSA1

Stock Part: 839

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDH02SG120XKSA1
Infineon Technologies

IDH02SG120XKSA1

Stock Part: 831

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 2A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDH10SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH10SG60CXKSA1

Stock Part: 816

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDD06SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD06SG60CXTMA1

Stock Part: 813

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDH10S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH10S120AKSA1

Stock Part: 888

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDH08S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH08S120AKSA1

Stock Part: 810

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 7.5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 7.5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDH12SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH12SG60CXKSA1

Stock Part: 900

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDB06S60C
Infineon Technologies

IDB06S60C

Stock Part: 5151

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDD08SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD08SG60CXTMA1

Stock Part: 811

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDH06SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH06SG60CXKSA1

Stock Part: 5122

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDV02S60CXKSA1
Infineon Technologies

IDV02S60CXKSA1

Stock Part: 828

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.9V @ 2A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDH09SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH09SG60CXKSA1

Stock Part: 812

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 9A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 9A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDB10S60C
Infineon Technologies

IDB10S60C

Stock Part: 875

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDD04SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD04SG60CXTMA1

Stock Part: 834

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5.6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 4A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
IDH06S60CAKSA1
Infineon Technologies

IDH06S60CAKSA1

Stock Part: 502

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
SIDC06D60C6
Infineon Technologies

SIDC06D60C6

Stock Part: 477

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.95V @ 20A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SIDC78D170HX1SA1
Infineon Technologies

SIDC78D170HX1SA1

Stock Part: 521

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1700V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
IDH04S60CAKSA1
Infineon Technologies

IDH04S60CAKSA1

Stock Part: 556

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.9V @ 4A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
SIDC09D60E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC09D60E6X1SA1

Stock Part: 552

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
SIDC30D60E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC30D60E6X1SA1

Stock Part: 571

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 75A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 75A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SIDC73D170E6X1SA2
Infineon Technologies

SIDC73D170E6X1SA2

Stock Part: 517

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1700V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.15V @ 100A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SIDC16D60SIC3
Infineon Technologies

SIDC16D60SIC3

Stock Part: 502

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió
SIDC56D120E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC56D120E6X1SA1

Stock Part: 5106

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 75A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.9V @ 75A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SIDC23D120F6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC23D120F6X1SA1

Stock Part: 552

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 25A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 25A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SIDC09D60E6YX1SA1
Infineon Technologies

SIDC09D60E6YX1SA1

Stock Part: 523

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
SIDC08D60C6Y
Infineon Technologies

SIDC08D60C6Y

Stock Part: 497

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.95V @ 30A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SIDC14D60C6Y
Infineon Technologies

SIDC14D60C6Y

Stock Part: 543

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.9V @ 50A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SIDC08D120H6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC08D120H6X1SA1

Stock Part: 504

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 10A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SIDC56D170E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC56D170E6X1SA1

Stock Part: 577

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1700V, Actual: mitjana rectificada (Io): 75A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.15V @ 75A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SIDC09D60E6 UNSAWN
Infineon Technologies

SIDC09D60E6 UNSAWN

Stock Part: 518

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
SIDC02D60F6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC02D60F6X1SA1

Stock Part: 525

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió