Diodes - Rectificadors - Individuals

D2700U45X122XOSA1

Stock Part: 287

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 4500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2900A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601NH90TXPSA1

Stock Part: 324

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 9000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1790A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 5.5V @ 4000A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1961SH45TXPSA1

Stock Part: 307

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 4500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2380A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.5V @ 2500A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601N85TXPSA1

Stock Part: 304

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 8500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3040A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IRD3CH9DD6

Stock Part: 5330

IDP45E60XKSA1

Stock Part: 38822

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 71A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2V @ 45A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

IDP23011XUMA1

Stock Part: 34916

IDK04G65C5XTMA1

Stock Part: 2364

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 4A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH53DB6

Stock Part: 2397

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.7V @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 270ns,

IDW16G65C5XKSA1

Stock Part: 9090

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 16A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH9DB6

Stock Part: 2378

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.7V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 154ns,

IRD3CH16DD6

Stock Part: 2386

IDFW40E65D1EXKSA1

Stock Part: 1902

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 42A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 76ns,

IRD3CH42DD6

Stock Part: 2407

IRD3CH101DD6

Stock Part: 2319

IDW40E65D2FKSA1

Stock Part: 30469

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

IRD3CH82DF6

Stock Part: 2356

IRD3CH16DB6

Stock Part: 2357

IRD3CH5BD6

Stock Part: 5238

IDC08S60CEX1SA3

Stock Part: 2424

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH08G120C5XKSA1

Stock Part: 10387

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.95V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDK02G65C5XTMA1

Stock Part: 2297

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 2A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDH20G65C5XKSA2

Stock Part: 7574

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDL12G65C5XUMA1

Stock Part: 2364

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH31DB6

Stock Part: 2327

IDB10S60CATMA2

Stock Part: 5332

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH42DB6

Stock Part: 2339

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 75A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.7V @ 75A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 285ns,

IRD3CH82DD6

Stock Part: 2324

IRD3CH11DB6

Stock Part: 2369

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.7V @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 190ns,

IDK08G65C5XTMA1

Stock Part: 2324

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH5DB6

Stock Part: 5234

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.7V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 96ns,

IDP08E65D2XKSA1

Stock Part: 68501

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 40ns,

IDL10G65C5XUMA1

Stock Part: 2296

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDC04S60CEX1SA1

Stock Part: 2355

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.9V @ 4A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDK03G65C5XTMA1

Stock Part: 2298

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 3A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

IDK05G65C5XTMA1

Stock Part: 2285

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,