Transistors - IGBT - Mòduls | Productes de semiconductors discrets | 65

APTGF165SK60D1G

Stock Part: 463

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 230A, Potència: màx: 730W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGF180A60TG

Stock Part: 496

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 833W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGF165A60D1G

Stock Part: 456

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 230A, Potència: màx: 781W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGF165DA60D1G

Stock Part: 448

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 230A, Potència: màx: 730W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGF15H120T3G

Stock Part: 440

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 25A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGF15A120T1G

Stock Part: 442

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 25A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGF15H120T1G

Stock Part: 487

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 25A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGF150SK120TG

Stock Part: 414

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 961W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGF150DH120G

Stock Part: 410

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 961W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGF150DA120TG

Stock Part: 435

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 961W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

Stock Part: 453

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 135A, Potència: màx: 568W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

Stock Part: 3069

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 961W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

Stock Part: 453

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 135A, Potència: màx: 568W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

Stock Part: 411

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 130A, Potència: màx: 735W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

Stock Part: 435

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 135A, Potència: màx: 568W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

Stock Part: 455

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 93A, Potència: màx: 378W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

Stock Part: 418

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 93A, Potència: màx: 378W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

Stock Part: 3465

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 347W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

Stock Part: 3433

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 347W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

Stock Part: 448

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

Stock Part: 465

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 58A, Potència: màx: 192W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

Stock Part: 416

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 58A, Potència: màx: 192W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

Stock Part: 481

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 120A, Potència: màx: 416W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT75GN120J

Stock Part: 420

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 124A, Potència: màx: 379W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

Stock Part: 401

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 124A, Potència: màx: 379W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT60GT60JR

Stock Part: 445

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 93A, Potència: màx: 378W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT50GP60J

Stock Part: 2419

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 329W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

Stock Part: 393

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 72A, Potència: màx: 379W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

Stock Part: 2536

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 86A, Potència: màx: 284W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

Stock Part: 469

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 77A, Potència: màx: 347W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT200GN60JG

Stock Part: 406

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 283A, Potència: màx: 682W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

Stock Part: 1653

Tipus IGBT: PT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 128A, Potència: màx: 543W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

Stock Part: 1360

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

STMicroelectronics

A2P75S12M3-F

Stock Part: 373

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 454.5W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

STMicroelectronics

A2P75S12M3

Stock Part: 372

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 454.5W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

STMicroelectronics

A2C50S65M2

Stock Part: 320

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase Inverter with Brake, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos