Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: bipolars (BJT): matrius, pre-esbiaixa

ADC124EUQ-7
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-7

Stock Part: 102169

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

A la llista de desitjos
ACX114YUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-13R

Stock Part: 122236

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

A la llista de desitjos
ADC124EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-13

Stock Part: 174294

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

A la llista de desitjos
ADA114EUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-7

Stock Part: 198421

Tipus de transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

A la llista de desitjos
ACX124EUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-7R

Stock Part: 171910

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

A la llista de desitjos
ADA114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-7

Stock Part: 112948

Tipus de transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

A la llista de desitjos
ADC114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-7

Stock Part: 176159

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

A la llista de desitjos
ACX114YUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-7R

Stock Part: 162673

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

A la llista de desitjos
ADA114EUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-13

Stock Part: 149878

Tipus de transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

A la llista de desitjos
ADA114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-13

Stock Part: 147362

Tipus de transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

A la llista de desitjos
ADC144EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC144EUQ-13

Stock Part: 21546

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
ACX124EUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-13R

Stock Part: 121902

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

A la llista de desitjos
ADC114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-13

Stock Part: 121085

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

A la llista de desitjos
BCR35PNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNH6327XTSA1

Stock Part: 152076

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR 48PN H6727
Infineon Technologies

BCR 48PN H6727

Stock Part: 1466

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70mA, 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR 141S H6727
Infineon Technologies

BCR 141S H6727

Stock Part: 1531

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR35PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6327BTSA1

Stock Part: 1529

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR 22PN H6727
Infineon Technologies

BCR 22PN H6727

Stock Part: 1468

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR 148S H6827
Infineon Technologies

BCR 148S H6827

Stock Part: 1537

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR 133S H6444
Infineon Technologies

BCR 133S H6444

Stock Part: 1441

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR 141S E6727
Infineon Technologies

BCR 141S E6727

Stock Part: 1506

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR 116S H6727
Infineon Technologies

BCR 116S H6727

Stock Part: 3210

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR 116S E6727
Infineon Technologies

BCR 116S E6727

Stock Part: 1473

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR108SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR108SH6433XTMA1

Stock Part: 1470

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR08PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR08PNE6327BTSA1

Stock Part: 1495

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR48PNE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6433BTMA1

Stock Part: 1457

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70mA, 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR48PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6327BTSA1

Stock Part: 3149

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70mA, 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR35PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6433HTMA1

Stock Part: 1427

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR22PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6433HTMA1

Stock Part: 1454

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR198SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198SE6327BTSA1

Stock Part: 1473

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR22PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6327BTSA1

Stock Part: 1505

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR185SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185SE6327BTSA1

Stock Part: 1465

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR183SE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR183SE6433BTMA1

Stock Part: 1484

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR185SB6327XT
Infineon Technologies

BCR185SB6327XT

Stock Part: 1459

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR183SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR183SE6327BTSA1

Stock Part: 1440

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
BCR169SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR169SE6327BTSA1

Stock Part: 1509

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos