Transistors - IGBT - Mòduls

Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

Stock Part: 530

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

Stock Part: 491

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

Stock Part: 539

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

Stock Part: 546

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 270W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

Stock Part: 476

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 90W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos

APTGV50H120BTPG

Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

Stock Part: 466

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 270W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

Stock Part: 528

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 156W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

Stock Part: 540

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 156W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

Stock Part: 546

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

Stock Part: 487

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 25A, Potència: màx: 115W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

Stock Part: 546

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

APTGV100H60BTPG

Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

Stock Part: 5307

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

A la llista de desitjos

APTGT75SK120T1G

Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

Stock Part: 531

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

APTGT75SK120D1G

Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

Stock Part: 541

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

Stock Part: 521

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

APTGT75DSK60T3G

Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

Stock Part: 490

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

Stock Part: 478

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

APTGT75DA170T1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

Stock Part: 540

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 130A, Potència: màx: 465W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

APTGT75DA170D1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

Stock Part: 464

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 120A, Potència: màx: 520W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

APTGT75DA120T1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

Stock Part: 555

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

Stock Part: 545

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 120A, Potència: màx: 520W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

APTGT75DA120D1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

Stock Part: 548

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

Stock Part: 526

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 357W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

Stock Part: 526

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 760A, Potència: màx: 1600W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

Stock Part: 482

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 310W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

APTGT50SK170D1G

Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

Stock Part: 514

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 310W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

Stock Part: 476

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

APTGT50DSK60T3G

Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

Stock Part: 541

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

APTGT50DSK120T3G

Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

Stock Part: 552

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 270W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

Stock Part: 528

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

APTGT50DA170T1G

Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

Stock Part: 3071

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 312W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

APTGT50DA170D1G

Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

Stock Part: 518

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 310W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

APTGT50DA120D1G

Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

Stock Part: 496

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 270W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

Stock Part: 535

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70A, Potència: màx: 310W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

Stock Part: 520

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

Stock Part: 494

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 270W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos

2333

«
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
»