Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors - IGBT - Mòduls

APTGF360U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF360U60D4G

Stock Part: 479

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 450A, Potència: màx: 1560W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 360A,

A la llista de desitjos
APTGF350DU60G
Microsemi Corporation

APTGF350DU60G

Stock Part: 449

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 430A, Potència: màx: 1562W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

A la llista de desitjos
APTGF350SK60G
Microsemi Corporation

APTGF350SK60G

Stock Part: 437

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 430A, Potència: màx: 1562W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

A la llista de desitjos
APTGF350A60G
Microsemi Corporation

APTGF350A60G

Stock Part: 508

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 430A, Potència: màx: 1562W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

A la llista de desitjos
APTGF350DA60G
Microsemi Corporation

APTGF350DA60G

Stock Part: 424

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 430A, Potència: màx: 1562W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

A la llista de desitjos
APTGF330SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330SK60D3G

Stock Part: 514

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 460A, Potència: màx: 1400W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A,

A la llista de desitjos
APTGF30X60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30X60T3G

Stock Part: 504

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 42A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos
APTGF330A60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330A60D3G

Stock Part: 444

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 520A, Potència: màx: 1560W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A,

A la llista de desitjos
APTGF30H60T1G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T1G

Stock Part: 469

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 42A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T3G

Stock Part: 491

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 42A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos
APTGF300U120DG
Microsemi Corporation

APTGF300U120DG

Stock Part: 440

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGF30A60T1G
Microsemi Corporation

APTGF30A60T1G

Stock Part: 3064

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 42A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos
APTGF300SK120G
Microsemi Corporation

APTGF300SK120G

Stock Part: 426

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGF300SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGF300SK120D3G

Stock Part: 497

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 420A, Potència: màx: 2100W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGF300DU120G
Microsemi Corporation

APTGF300DU120G

Stock Part: 448

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGF300DA120G
Microsemi Corporation

APTGF300DA120G

Stock Part: 514

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGF300A120G
Microsemi Corporation

APTGF300A120G

Stock Part: 339

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGF300DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGF300DA120D3G

Stock Part: 492

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 420A, Potència: màx: 2100W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGF300A120D3G
Microsemi Corporation

APTGF300A120D3G

Stock Part: 3070

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 420A, Potència: màx: 2100W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGF25X120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25X120T3G

Stock Part: 420

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

A la llista de desitjos
APTGF25H120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T3G

Stock Part: 481

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

A la llista de desitjos
APTGF25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T1G

Stock Part: 430

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

A la llista de desitjos
APTGF25A120T1G
Microsemi Corporation

APTGF25A120T1G

Stock Part: 483

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

A la llista de desitjos
APTGF25DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25DDA120T3G

Stock Part: 415

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

A la llista de desitjos
APTGF250DA60D3G
Microsemi Corporation

APTGF250DA60D3G

Stock Part: 450

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGF250SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGF250SK60D3G

Stock Part: 511

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGF250A60D3G
Microsemi Corporation

APTGF250A60D3G

Stock Part: 427

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGF200U120DG
Microsemi Corporation

APTGF200U120DG

Stock Part: 461

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 275A, Potència: màx: 1136W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGF200SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGF200SK120D3G

Stock Part: 439

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300A, Potència: màx: 1400W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGF200DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGF200DA120D3G

Stock Part: 440

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300A, Potència: màx: 1400W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGF180SK60TG
Microsemi Corporation

APTGF180SK60TG

Stock Part: 434

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 833W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

A la llista de desitjos
APTGF200A120D3G
Microsemi Corporation

APTGF200A120D3G

Stock Part: 506

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300A, Potència: màx: 1400W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGF180H60G
Microsemi Corporation

APTGF180H60G

Stock Part: 481

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 833W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

A la llista de desitjos
APTGF180DU60TG
Microsemi Corporation

APTGF180DU60TG

Stock Part: 433

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 833W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

A la llista de desitjos
APTGF180DH60G
Microsemi Corporation

APTGF180DH60G

Stock Part: 421

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 833W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

A la llista de desitjos
APTGF180DA60TG
Microsemi Corporation

APTGF180DA60TG

Stock Part: 482

Tipus IGBT: NPT, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 833W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

A la llista de desitjos