Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors - IGBT - Mòduls

APTGT50A120TG
Microsemi Corporation

APTGT50A120TG

Stock Part: 483

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation

APTGT450DU60G

Stock Part: 517

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 550A, Potència: màx: 1750W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

A la llista de desitjos
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK60D3G

Stock Part: 472

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

A la llista de desitjos
APTGT400DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400DA120D3G

Stock Part: 507

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 580A, Potència: màx: 2100W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

A la llista de desitjos
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK120D3G

Stock Part: 463

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 580A, Potència: màx: 2100W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

A la llista de desitjos
APTGT35SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35SK120D1G

Stock Part: 527

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 55A, Potència: màx: 205W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

A la llista de desitjos
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT35H120T1G

Stock Part: 522

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 55A, Potència: màx: 208W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

A la llista de desitjos
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35A120D1G

Stock Part: 463

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 55A, Potència: màx: 205W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

A la llista de desitjos
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35DA120D1G

Stock Part: 481

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 55A, Potència: màx: 205W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

A la llista de desitjos
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170D1G

Stock Part: 507

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Potència: màx: 210W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170T1G

Stock Part: 539

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Potència: màx: 210W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30H60T3G

Stock Part: 462

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 90W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30DDA60T3G

Stock Part: 494

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 90W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170T1G

Stock Part: 474

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Potència: màx: 210W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos
APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT30A60T1G

Stock Part: 506

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 90W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170D1G

Stock Part: 525

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Potència: màx: 210W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170D3G

Stock Part: 547

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 530A, Potència: màx: 1470W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30A170D1G

Stock Part: 458

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Potència: màx: 210W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos
APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300DA120D3G

Stock Part: 482

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 440A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK120D3G

Stock Part: 515

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 440A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGT25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25H120T1G

Stock Part: 449

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 156W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

A la llista de desitjos
APTGT25SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25SK120D1G

Stock Part: 3101

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

A la llista de desitjos
APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25DA120D1G

Stock Part: 503

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

A la llista de desitjos
APTGT25A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120T1G

Stock Part: 542

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 156W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

A la llista de desitjos
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20X60T3G

Stock Part: 455

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 32A, Potència: màx: 62W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

A la llista de desitjos
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120D1G

Stock Part: 495

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Potència: màx: 140W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

A la llista de desitjos
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20DSK60T3G

Stock Part: 520

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 32A, Potència: màx: 62W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

A la llista de desitjos
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20H60T3G

Stock Part: 543

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 32A, Potència: màx: 62W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

A la llista de desitjos
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT20A60T1G

Stock Part: 446

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 32A, Potència: màx: 62W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

A la llista de desitjos
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK170D3G

Stock Part: 509

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60TG

Stock Part: 478

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 290A, Potència: màx: 625W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK120D3G

Stock Part: 528

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300A, Potència: màx: 1050W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT200DA60TG

Stock Part: 520

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 290A, Potència: màx: 625W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200DA170D3G

Stock Part: 465

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation

APTGT200A60TG

Stock Part: 491

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 290A, Potència: màx: 625W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170D1G

Stock Part: 479

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 280A, Potència: màx: 780W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

A la llista de desitjos