Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors - IGBT - Mòduls

APTGLQ100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ100DA120T1G

Stock Part: 324

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 170A, Potència: màx: 520W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A,

A la llista de desitjos
APTGLQ200A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGLQ200A120T3AG

Stock Part: 317

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: 2 Independent, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A,

A la llista de desitjos
APTGL90DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DSK120T3G

Stock Part: 1591

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 385W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos
APTGL90A120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90A120T1G

Stock Part: 1766

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 385W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos
APTGLQ300H65G
Microsemi Corporation

APTGLQ300H65G

Stock Part: 510

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600A, Potència: màx: 1000W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGTQ100A65T1G
Microsemi Corporation

APTGTQ100A65T1G

Stock Part: 268

Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

A la llista de desitjos
APTGT75A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75A60T1G

Stock Part: 2517

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos
APTGT30X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30X60T3G

Stock Part: 1938

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 90W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

A la llista de desitjos
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200DA65T3G

Stock Part: 297

Configuració: Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 483W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGT100H60TG
Microsemi Corporation

APTGT100H60TG

Stock Part: 1208

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

A la llista de desitjos
APTGLQ200H120G
Microsemi Corporation

APTGLQ200H120G

Stock Part: 505

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 350A, Potència: màx: 1000W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGT600DA60G
Microsemi Corporation

APTGT600DA60G

Stock Part: 718

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 700A, Potència: màx: 2300W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

A la llista de desitjos
APTGT75DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA60T1G

Stock Part: 2807

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos
APTGL475U120D4G
Microsemi Corporation

APTGL475U120D4G

Stock Part: 692

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 610A, Potència: màx: 2082W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

A la llista de desitjos
APTGLQ75H65T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ75H65T1G

Stock Part: 1579

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos
APTGT100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU120TG

Stock Part: 1313

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 140A, Potència: màx: 480W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

A la llista de desitjos
APTGT50DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU120TG

Stock Part: 1568

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Potència: màx: 277W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos
APTGT300A170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A170D3G

Stock Part: 469

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 530A, Potència: màx: 1470W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170G

Stock Part: 920

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 250A, Potència: màx: 890W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

A la llista de desitjos
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170G

Stock Part: 631

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 400A, Potència: màx: 1660W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

A la llista de desitjos
APTGT400A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400A120D3G

Stock Part: 443

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 580A, Potència: màx: 2100W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

A la llista de desitjos
APTGL60DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DDA120T3G

Stock Part: 1919

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 280W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos
APTGT100TL170G
Microsemi Corporation

APTGT100TL170G

Stock Part: 530

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Level Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 560W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

A la llista de desitjos
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200A65T3G

Stock Part: 255

Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 483W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ100H65T3G

Stock Part: 237

Configuració: Full Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

A la llista de desitjos
APTGT75X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75X60T3G

Stock Part: 1419

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Potència: màx: 250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos
APTGT150A120G
Microsemi Corporation

APTGT150A120G

Stock Part: 851

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 220A, Potència: màx: 690W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

A la llista de desitjos
APTGT50H60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T1G

Stock Part: 2031

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Full Bridge Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Potència: màx: 176W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation

APTGT225DA170G

Stock Part: 770

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 340A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

A la llista de desitjos
APTGT100A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100A60T1G

Stock Part: 2167

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Half Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Potència: màx: 340W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

A la llista de desitjos
APTGT225DU170G
Microsemi Corporation

APTGT225DU170G

Stock Part: 515

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual, Common Source, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1700V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 340A, Potència: màx: 1250W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

A la llista de desitjos
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60T3AG

Stock Part: 1579

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Single, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 290A, Potència: màx: 750W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation

APTGT200DH120G

Stock Part: 709

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Asymmetrical Bridge, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 280A, Potència: màx: 890W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos
APTGL90DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DDA120T3G

Stock Part: 1593

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Configuració: Dual Boost Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Potència: màx: 385W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

A la llista de desitjos
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ50TA65T3G

Stock Part: 244

Configuració: Three Phase Inverter, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50A, Potència: màx: 125W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

A la llista de desitjos
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200SK65T3G

Stock Part: 292

Configuració: Buck Chopper, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Potència: màx: 483W, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

A la llista de desitjos