Transistors: bipolars (BJT): senzills, pre-esbiaix | Productes de semiconductors discrets | 6

RN1112(T5L,F,T)

Stock Part: 1924

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106,LF(CT

Stock Part: 126227

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101CT(TPL3)

Stock Part: 1912

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2315TE85LF

Stock Part: 100188

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112ACT(TPL3)

Stock Part: 1954

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

Stock Part: 1987

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105CT(TPL3)

Stock Part: 1976

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105CT(TPL3)

Stock Part: 1970

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111CT(TPL3)

Stock Part: 1984

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109ACT(TPL3)

Stock Part: 2177

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103ACT(TPL3)

Stock Part: 1902

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404,LF

Stock Part: 9904

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1306,LF

Stock Part: 116634

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1444ATE85LF

Stock Part: 1960

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107ACT(TPL3)

Stock Part: 2029

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110CT(TPL3)

Stock Part: 1997

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107MFV,L3F

Stock Part: 128621

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107CT(TPL3)

Stock Part: 1985

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109MFV,L3F

Stock Part: 1935

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112CT(TPL3)

Stock Part: 1956

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113CT(TPL3)

Stock Part: 2014

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102,LF(CT

Stock Part: 176393

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113(T5L,F,T)

Stock Part: 158736

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1308,LF

Stock Part: 147458

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106CT(TPL3)

Stock Part: 1999

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV(TL3,T)

Stock Part: 1905

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117(T5L,F,T)

Stock Part: 1959

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109CT(TPL3)

Stock Part: 1945

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2316(TE85L,F)

Stock Part: 159037

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102CT(TPL3)

Stock Part: 1965

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107CT(TPL3)

Stock Part: 1933

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101CT(TPL3)

Stock Part: 3234

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117(T5L,F,T)

Stock Part: 1981

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1305,LF

Stock Part: 184462

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106ACT(TPL3)

Stock Part: 140630

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F

Stock Part: 164879

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Cessió