Transistors: bipolars (BJT): senzills, pre-esbiaix

Casa
Transistors: bipolars (BJT): senzills, pre-esbiaix

RN2104(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104(T5L,F,T)

Stock Part: 2145

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402,LF

Stock Part: 90

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2413TE85LF

Stock Part: 186078

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió

RN2119MFV(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2119MFV(TPL3)

Stock Part: 2192

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió

RN2305(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2305(TE85L,F)

Stock Part: 178191

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104MFV,L3F

Stock Part: 171892

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1304,LF

Stock Part: 189

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1405,LF

Stock Part: 146891

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404,LF

Stock Part: 81

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105,LF(CT

Stock Part: 162509

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117MFV,L3F

Stock Part: 165156

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111MFV,L3F

Stock Part: 146

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió

RN1310(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1310(TE85L,F)

Stock Part: 2124

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió

RN2309(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2309(TE85L,F)

Stock Part: 2193

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

RN2114(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2114(TE85L,F)

Stock Part: 128

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2130MFV,L3F

Stock Part: 188

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 100 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 100 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110MFV,L3F

Stock Part: 102439

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió

RN2311(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2311(TE85L,F)

Stock Part: 3308

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2306,LF

Stock Part: 166487

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

RN1110(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110(T5L,F,T)

Stock Part: 3223

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió

RN2312(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2312(TE85L,F)

Stock Part: 147502

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1412TE85LF

Stock Part: 2025

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105MFV,L3F

Stock Part: 1951

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404S,LF

Stock Part: 135884

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF

Stock Part: 1906

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110CT(TPL3)

Stock Part: 3274

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

RN1102ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102ACT(TPL3)

Stock Part: 3264

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101,LF(CT

Stock Part: 123572

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Cessió

RN2307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2307(TE85L,F)

Stock Part: 1971

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107,LF(CT

Stock Part: 197244

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112CT(TPL3)

Stock Part: 3192

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102CT(TPL3)

Stock Part: 1945

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Cessió

RN1109(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109(T5L,F,T)

Stock Part: 3219

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

RN1303(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1303(TE85L,F)

Stock Part: 1973

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106CT(TPL3)

Stock Part: 1960

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Cessió

RN1118(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118(T5L,F,T)

Stock Part: 1923

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió

199

«
1
2
3
4
5
6
»