Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: bipolars (BJT): senzills, pre-esbiaix

  • Casa
  •  
  • Transistors: bipolars (BJT): senzills, pre-esbiaix
RN2404TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404TE85LF

Stock Part: 1976

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402S,LF

Stock Part: 1953

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN2104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104MFV,L3F

Stock Part: 1980

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN2402S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF(D

Stock Part: 1961

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN2106(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106(T5L,F,T)

Stock Part: 1986

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104CT(TPL3)

Stock Part: 1925

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN2111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111CT(TPL3)

Stock Part: 2043

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió
RN1105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105ACT(TPL3)

Stock Part: 1932

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1406S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406S,LF(D

Stock Part: 1944

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108(T5L,F,T)

Stock Part: 2027

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108ACT(TPL3)

Stock Part: 1975

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1316,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1316,LF

Stock Part: 199880

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN2113CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113CT(TPL3)

Stock Part: 1959

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió
RN1108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108ACT(TPL3)

Stock Part: 1901

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN2112,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112,LF(CT

Stock Part: 9941

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió
RN2103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103MFV,L3F

Stock Part: 1966

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103CT(TPL3)

Stock Part: 1955

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1413(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1413(TE85L,F)

Stock Part: 169265

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió
RN1111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111ACT(TPL3)

Stock Part: 1945

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió
RN2118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2118(T5L,F,T)

Stock Part: 1956

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108CT(TPL3)

Stock Part: 1979

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1106ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106ACT(TPL3)

Stock Part: 2028

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN2102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102ACT(TPL3)

Stock Part: 1977

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN2104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104CT(TPL3)

Stock Part: 1987

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109CT(TPL3)

Stock Part: 1950

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN2104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104ACT(TPL3)

Stock Part: 2045

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN2103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103CT(TPL3)

Stock Part: 3230

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104ACT(TPL3)

Stock Part: 1956

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN2303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2303(TE85L,F)

Stock Part: 126325

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107ACT(TPL3)

Stock Part: 2063

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1441ATE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1441ATE85LF

Stock Part: 176769

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 5.6 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Cessió
RN2108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108CT(TPL3)

Stock Part: 2026

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1101ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101ACT(TPL3)

Stock Part: 1962

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV,L3F

Stock Part: 120698

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN1414,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1414,LF

Stock Part: 112225

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió
RN2313(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2313(TE85L,F)

Stock Part: 163677

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Cessió