| Lletra | Descripció |
| Estat de la peça | Active |
|---|---|
| Tipus FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funció FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| RDS activat (màxim) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (màx.) @ Id | 2.7V @ 22mA |
| Càrrega de porta (Qg) (màx.) @ Vgs | - |
| Capacitància d'entrada (Ciss) (màx.) @ Vds | 14000pF @ 10V |
| Potència: màx | 780W |
| Temperatura de funcionament | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipus de muntatge | - |
| Paquet / estoig | Module |
| Paquet de dispositius del proveïdor | Module |
| Estat de Rohs | Compleix ROHS |
|---|---|
| Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | No aplicable |
| Estat del cicle de vida | Obsolet / final de la vida |
| Categoria d'estoc | Estoc disponible |
