Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius

Casa
Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius

Rohm Semiconductor

MP6K14TCR

Stock Part: 2899

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M51TB1

Stock Part: 2655

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.5A,

Cessió

Rohm Semiconductor

SH8M70TB1

Stock Part: 2793

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M4FU6TB

Stock Part: 74678

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, 7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M8FU6TB

Stock Part: 119511

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K5TB

Stock Part: 2680

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K5FU6TB

Stock Part: 180120

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M5TB

Stock Part: 2649

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, 7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M10FU6TB

Stock Part: 2786

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A, 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8J3FU6TB

Stock Part: 139446

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M6TB

Stock Part: 2678

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8J4TB

Stock Part: 2713

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K24FU6TB

Stock Part: 76064

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 45V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

MP6M14TCR

Stock Part: 2917

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A, 6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8J1FU6TB

Stock Part: 98693

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M9TB

Stock Part: 2650

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K1TB

Stock Part: 2651

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

MP6K31TCR

Stock Part: 2841

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K1FU6TB

Stock Part: 152435

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

UM5K1NTR

Stock Part: 2679

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Cessió

Rohm Semiconductor

MP6K11TCR

Stock Part: 2911

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K4FU6TB

Stock Part: 82282

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K3FU6TB

Stock Part: 110124

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M3TB

Stock Part: 2700

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M7FU6TB

Stock Part: 2829

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, 7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

EM5K5T2R

Stock Part: 118220

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 300mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 300mA, 4.5V,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K4TB

Stock Part: 2701

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M6FU6TB

Stock Part: 2843

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M7TB

Stock Part: 2650

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, 7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M10TB

Stock Part: 2633

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A, 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

EM6K6T2R

Stock Part: 176106

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 300mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

TT8M1TR

Stock Part: 124589

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K2FU6TB

Stock Part: 118884

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

MP6K12TCR

Stock Part: 2916

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8M9FU6TB

Stock Part: 2786

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

US5K3TR

Stock Part: 2728

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A,

Cessió

178

«
1
2
3
4
5
»