Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius

Casa
Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius

Rohm Semiconductor

SH8K4TB1

Stock Part: 107909

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

QS8J1TR

Stock Part: 162895

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

QS8J11TCR

Stock Part: 180714

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SH8K2TB1

Stock Part: 169908

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8K2TB

Stock Part: 195188

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SH8K15TB1

Stock Part: 137046

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

QS8K11TCR

Stock Part: 198738

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

US6M1TR

Stock Part: 141982

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.4A, 1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SH8M13GZETB

Stock Part: 173570

Tipus FET: N and P-Channel, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, 7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8J5TB

Stock Part: 50648

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

US6M2TR

Stock Part: 169040

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A, 1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SH8M4TB1

Stock Part: 91212

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, 7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

QH8KA1TCR

Stock Part: 125338

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

QS8M13TCR

Stock Part: 158531

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8J2TB

Stock Part: 2628

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SH8M41GZETB

Stock Part: 127920

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.4A, 2.6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

QH8MA2TCR

Stock Part: 145176

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, 3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SH8K22TB1

Stock Part: 169285

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 45V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

QS6M3TR

Stock Part: 170246

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

QS6J1TR

Stock Part: 160158

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

EM6K1T2R

Stock Part: 188653

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Cessió

Rohm Semiconductor

QS5K2TR

Stock Part: 110824

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

QH8JA1TCR

Stock Part: 135582

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

UM6K1NTN

Stock Part: 176441

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Cessió

Rohm Semiconductor

QH8MA4TCR

Stock Part: 163064

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, 8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

QS8M11TCR

Stock Part: 196980

Tipus FET: N and P-Channel, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A,

Cessió

Rohm Semiconductor

SP8J65TB1

Stock Part: 69246

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SH8M12TB1

Stock Part: 181504

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

QS8J12TCR

Stock Part: 145360

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SH8J31GZETB

Stock Part: 96459

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

SH8J62TB1

Stock Part: 138723

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

EM6M1T2R

Stock Part: 166276

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA, 200mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Cessió

Rohm Semiconductor

QS6K21TR

Stock Part: 129283

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 45V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1A, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Cessió

Rohm Semiconductor

EM6M2T2R

Stock Part: 127455

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 200mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

Cessió

178

«
1
2
3
4
5
»