Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: bipolars (BJT): individuals

  • Casa
  •  
  • Transistors: bipolars (BJT): individuals
SMMBT6521LT1G
ON Semiconductor

SMMBT6521LT1G

Stock Part: 113081

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

Cessió
NSVBC857BLT3G
ON Semiconductor

NSVBC857BLT3G

Stock Part: 193265

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Cessió
NJVMJD210T4G
ON Semiconductor

NJVMJD210T4G

Stock Part: 138380

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

Cessió
NSVMMBT6520LT1G
ON Semiconductor

NSVMMBT6520LT1G

Stock Part: 120062

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 350V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Cessió
NSS35200CF8T1G
ON Semiconductor

NSS35200CF8T1G

Stock Part: 184207

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 35V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V,

Cessió
PZTA64
ON Semiconductor

PZTA64

Stock Part: 167667

Tipus de transistor: PNP - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Cessió
SBCP68T1G
ON Semiconductor

SBCP68T1G

Stock Part: 185720

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Cessió
NSV1C301ET4G-VF01
ON Semiconductor

NSV1C301ET4G-VF01

Stock Part: 171019

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

Cessió
NJVMJB45H11T4G
ON Semiconductor

NJVMJB45H11T4G

Stock Part: 78939

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 10A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Cessió
NST846BF3T5G
ON Semiconductor

NST846BF3T5G

Stock Part: 138127

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
KSP05TA
ON Semiconductor

KSP05TA

Stock Part: 122978

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V,

Cessió
KSA1281YTA
ON Semiconductor

KSA1281YTA

Stock Part: 152676

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

Cessió
NSV60601MZ4T1G
ON Semiconductor

NSV60601MZ4T1G

Stock Part: 163510

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 6A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

Cessió
MCH3245-TL-E
ON Semiconductor

MCH3245-TL-E

Stock Part: 138360

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Cessió
NJVMJD32CG
ON Semiconductor

NJVMJD32CG

Stock Part: 100994

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Cessió
NJVMJD31CRLG
ON Semiconductor

NJVMJD31CRLG

Stock Part: 134493

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Cessió
MMJT350T1G
ON Semiconductor

MMJT350T1G

Stock Part: 178452

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 300V, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Cessió
TIP42AG
ON Semiconductor

TIP42AG

Stock Part: 107722

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 6A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 700µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Cessió
TIP3055G
ON Semiconductor

TIP3055G

Stock Part: 43342

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 15A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 700µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Cessió
FJD5553TM
ON Semiconductor

FJD5553TM

Stock Part: 125206

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 400V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 400mA, 3V,

Cessió
CPH3121-TL-E
ON Semiconductor

CPH3121-TL-E

Stock Part: 153522

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 165mV @ 30mA, 1.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Cessió
KSH47TF
ON Semiconductor

KSH47TF

Stock Part: 111443

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 250V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 200µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Cessió
MJE15028G
ON Semiconductor

MJE15028G

Stock Part: 68517

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 8A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V,

Cessió
NSV40501UW3T2G
ON Semiconductor

NSV40501UW3T2G

Stock Part: 198771

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

Cessió
KSC1008GTA
ON Semiconductor

KSC1008GTA

Stock Part: 166070

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 700mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Cessió
NJVMJD32T4G
ON Semiconductor

NJVMJD32T4G

Stock Part: 152387

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Cessió
SS8550CTA
ON Semiconductor

SS8550CTA

Stock Part: 196989

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Cessió
KSA733CYTA
ON Semiconductor

KSA733CYTA

Stock Part: 157709

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Cessió
KSA1381ESTU
ON Semiconductor

KSA1381ESTU

Stock Part: 133191

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 300V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

Cessió
NSVBC847BTT1G
ON Semiconductor

NSVBC847BTT1G

Stock Part: 133882

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
NSS60601MZ4T3G
ON Semiconductor

NSS60601MZ4T3G

Stock Part: 171535

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 6A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

Cessió
SBC807-25LT3G
ON Semiconductor

SBC807-25LT3G

Stock Part: 128578

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Cessió
SMMBTA56LT3G
ON Semiconductor

SMMBTA56LT3G

Stock Part: 123248

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Cessió
PZTA29
ON Semiconductor

PZTA29

Stock Part: 124083

Tipus de transistor: NPN - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Cessió
KSH31CTF
ON Semiconductor

KSH31CTF

Stock Part: 121906

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Cessió
NSV40201LT1G
ON Semiconductor

NSV40201LT1G

Stock Part: 132151

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Cessió