Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: bipolars (BJT): individuals

  • Casa
  •  
  • Transistors: bipolars (BJT): individuals
NJD1718T4G
ON Semiconductor

NJD1718T4G

Stock Part: 130699

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Cessió
NJVNJD35N04T4G
ON Semiconductor

NJVNJD35N04T4G

Stock Part: 106745

Tipus de transistor: NPN - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 350V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Cessió
FJX1182YTF
ON Semiconductor

FJX1182YTF

Stock Part: 117438

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Cessió
FZT3019
ON Semiconductor

FZT3019

Stock Part: 120329

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió
MJD32T4G
ON Semiconductor

MJD32T4G

Stock Part: 105821

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Cessió
MCH3145-TL-E
ON Semiconductor

MCH3145-TL-E

Stock Part: 153395

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 330mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Cessió
KSH44H11TF
ON Semiconductor

KSH44H11TF

Stock Part: 197206

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 8A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Cessió
NJVMJD350T4G
ON Semiconductor

NJVMJD350T4G

Stock Part: 135300

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 300V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Cessió
MMBTA56LT1G
ON Semiconductor

MMBTA56LT1G

Stock Part: 145900

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Cessió
NJV4031NT1G
ON Semiconductor

NJV4031NT1G

Stock Part: 184303

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V,

Cessió
KSH42CTF
ON Semiconductor

KSH42CTF

Stock Part: 191674

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 6A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Cessió
MJ11021G
ON Semiconductor

MJ11021G

Stock Part: 10533

Tipus de transistor: PNP - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 15A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 250V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V,

Cessió
MJD200T4G
ON Semiconductor

MJD200T4G

Stock Part: 123189

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

Cessió
FSB560
ON Semiconductor

FSB560

Stock Part: 104131

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Cessió
SMMBT2222ALT1G
ON Semiconductor

SMMBT2222ALT1G

Stock Part: 177340

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió
CPH3116-TL-E
ON Semiconductor

CPH3116-TL-E

Stock Part: 169101

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 430mV @ 10mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Cessió
NSV12200LT1G
ON Semiconductor

NSV12200LT1G

Stock Part: 148051

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

Cessió
CPH3215-TL-H
ON Semiconductor

CPH3215-TL-H

Stock Part: 146816

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Cessió
NSV20200LT1G
ON Semiconductor

NSV20200LT1G

Stock Part: 195524

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

Cessió
MMBTA05LT3G
ON Semiconductor

MMBTA05LT3G

Stock Part: 126347

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Cessió
SMMBTA14LT3G
ON Semiconductor

SMMBTA14LT3G

Stock Part: 169566

Tipus de transistor: NPN - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Cessió
NSS30070MR6T1G
ON Semiconductor

NSS30070MR6T1G

Stock Part: 140385

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 700mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V,

Cessió
NJVMJD6039T4G
ON Semiconductor

NJVMJD6039T4G

Stock Part: 186124

Tipus de transistor: NPN - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V,

Cessió
NSS40301MZ4T3G
ON Semiconductor

NSS40301MZ4T3G

Stock Part: 199286

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V,

Cessió
MJD44E3T4G
ON Semiconductor

MJD44E3T4G

Stock Part: 193525

Tipus de transistor: NPN - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 10A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V,

Cessió
NSV1C201LT1G
ON Semiconductor

NSV1C201LT1G

Stock Part: 133818

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

Cessió
MJE253G
ON Semiconductor

MJE253G

Stock Part: 124125

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Cessió
MJD32CTM
ON Semiconductor

MJD32CTM

Stock Part: 119171

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Cessió
NSS20200LT1G
ON Semiconductor

NSS20200LT1G

Stock Part: 118980

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

Cessió
KSB772YSTU
ON Semiconductor

KSB772YSTU

Stock Part: 155810

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

Cessió
TIP147TU
ON Semiconductor

TIP147TU

Stock Part: 44949

Tipus de transistor: PNP - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 10A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 2mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Cessió
SMMBTA06LT3G
ON Semiconductor

SMMBTA06LT3G

Stock Part: 191074

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Cessió
NJVMJD2955T4G
ON Semiconductor

NJVMJD2955T4G

Stock Part: 137048

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 10A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Cessió
NSVBC850CLT1G
ON Semiconductor

NSVBC850CLT1G

Stock Part: 177948

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
KSH29CTF
ON Semiconductor

KSH29CTF

Stock Part: 112933

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Cessió
MJE15029G
ON Semiconductor

MJE15029G

Stock Part: 48553

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 8A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V,

Cessió