Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
SURF81620CTG
ON Semiconductor

SURF81620CTG

Stock Part: 763

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFPF20UP20STU
ON Semiconductor

FFPF20UP20STU

Stock Part: 773

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 45ns,

Cessió
SS29FA
ON Semiconductor

SS29FA

Stock Part: 171435

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS2003M-TL-W
ON Semiconductor

SS2003M-TL-W

Stock Part: 141130

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 400mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20ns,

Cessió
MMSD103T1G
ON Semiconductor

MMSD103T1G

Stock Part: 194989

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
SBR80520LT1G
ON Semiconductor

SBR80520LT1G

Stock Part: 128200

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 385mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSD350HT1G
ON Semiconductor

NSD350HT1G

Stock Part: 170804

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 350V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 55ns,

Cessió
S3G
ON Semiconductor

S3G

Stock Part: 133199

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió
MBRS140LT3G
ON Semiconductor

MBRS140LT3G

Stock Part: 796

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
ES3B
ON Semiconductor

ES3B

Stock Part: 199893

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20ns,

Cessió
SBAT54T1G
ON Semiconductor

SBAT54T1G

Stock Part: 132406

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
SBAS20HT1G
ON Semiconductor

SBAS20HT1G

Stock Part: 125722

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
FFH15S60STU
ON Semiconductor

FFH15S60STU

Stock Part: 774

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.6V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
NRVBM120LT1G
ON Semiconductor

NRVBM120LT1G

Stock Part: 191075

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FYV0203SMTF
ON Semiconductor

FYV0203SMTF

Stock Part: 5066

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
MBRD835L
ON Semiconductor

MBRD835L

Stock Part: 556

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 510mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR410
ON Semiconductor

MUR410

Stock Part: 551

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 890mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MURD340T4
ON Semiconductor

MURD340T4

Stock Part: 594

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
TRA3225
ON Semiconductor

TRA3225

Stock Part: 600

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual: mitjana rectificada (Io): 32A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 100A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FES16ATR
ON Semiconductor

FES16ATR

Stock Part: 472

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MBR120LSFT3
ON Semiconductor

MBR120LSFT3

Stock Part: 5139

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRD330RL
ON Semiconductor

MBRD330RL

Stock Part: 496

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MR750G
ON Semiconductor

MR750G

Stock Part: 544

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 6A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MRA4005T1
ON Semiconductor

MRA4005T1

Stock Part: 568

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRD320RL
ON Semiconductor

MBRD320RL

Stock Part: 554

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFPF15U120STU
ON Semiconductor

FFPF15U120STU

Stock Part: 486

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3.5V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 100ns,

Cessió
FDH444_T50R
ON Semiconductor

FDH444_T50R

Stock Part: 381

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 125V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 300mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

Cessió
FMKA130L
ON Semiconductor

FMKA130L

Stock Part: 428

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 410mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR0320XV6T1
ON Semiconductor

NSR0320XV6T1

Stock Part: 280

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 23V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 900mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR2020R
ON Semiconductor

MUR2020R

Stock Part: 517

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 95ns,

Cessió
FDH400_T50R
ON Semiconductor

FDH400_T50R

Stock Part: 396

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 300mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
FES16FTR
ON Semiconductor

FES16FTR

Stock Part: 475

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
FDH600_T50A
ON Semiconductor

FDH600_T50A

Stock Part: 404

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
MBRF40250T
ON Semiconductor

MBRF40250T

Stock Part: 522

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 970mV @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
RURD4120S9A
ON Semiconductor

RURD4120S9A

Stock Part: 435

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 90ns,

Cessió
MR751G
ON Semiconductor

MR751G

Stock Part: 545

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 6A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió