Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
SMMSD103T1G
ON Semiconductor

SMMSD103T1G

Stock Part: 114256

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
FFPF20UP30STU
ON Semiconductor

FFPF20UP30STU

Stock Part: 801

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
FFPF15UP20STTU
ON Semiconductor

FFPF15UP20STTU

Stock Part: 842

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 45ns,

Cessió
NRVB1035G
ON Semiconductor

NRVB1035G

Stock Part: 791

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S3J
ON Semiconductor

S3J

Stock Part: 191296

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió
FFP04S60STU
ON Semiconductor

FFP04S60STU

Stock Part: 785

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.6V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió
NRVB120LSFT1G
ON Semiconductor

NRVB120LSFT1G

Stock Part: 119557

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS33
ON Semiconductor

SS33

Stock Part: 131266

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS35
ON Semiconductor

SS35

Stock Part: 109183

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFP04H60STU
ON Semiconductor

FFP04H60STU

Stock Part: 802

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 45ns,

Cessió
MMBD1401_D87Z
ON Semiconductor

MMBD1401_D87Z

Stock Part: 817

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
SB07-03C-TB-H
ON Semiconductor

SB07-03C-TB-H

Stock Part: 131699

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 700mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 700mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 10ns,

Cessió
NSVR351SDSA3T1G
ON Semiconductor

NSVR351SDSA3T1G

Stock Part: 10000

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 5V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 230mV @ 1mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
MBRS130L
ON Semiconductor

MBRS130L

Stock Part: 177299

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 445mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MMBD6050
ON Semiconductor

MMBD6050

Stock Part: 177582

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 70V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
NRVBM120ET1G
ON Semiconductor

NRVBM120ET1G

Stock Part: 160974

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 595mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MMBD914_D87Z
ON Semiconductor

MMBD914_D87Z

Stock Part: 834

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
FYP0545STU
ON Semiconductor

FYP0545STU

Stock Part: 873

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S210
ON Semiconductor

S210

Stock Part: 114121

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSVR0240HT1G
ON Semiconductor

NSVR0240HT1G

Stock Part: 141575

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 710mV @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR420SG
ON Semiconductor

MUR420SG

Stock Part: 710

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 890mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SB007-03Q-TL-E
ON Semiconductor

SB007-03Q-TL-E

Stock Part: 169060

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 70mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 10ns,

Cessió
S115FA
ON Semiconductor

S115FA

Stock Part: 143603

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S1MFL
ON Semiconductor

S1MFL

Stock Part: 173522

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
MURF550PFG
ON Semiconductor

MURF550PFG

Stock Part: 809

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 520V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 95ns,

Cessió
NSR0520V2T1G
ON Semiconductor

NSR0520V2T1G

Stock Part: 124357

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 480mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 12ns,

Cessió
FFD06UP20S
ON Semiconductor

FFD06UP20S

Stock Part: 734

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MBR460MFST1G
ON Semiconductor

MBR460MFST1G

Stock Part: 191634

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 740mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFPF10UP30STTU
ON Semiconductor

FFPF10UP30STTU

Stock Part: 881

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 45ns,

Cessió
SB3003CH-TL-W
ON Semiconductor

SB3003CH-TL-W

Stock Part: 102061

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20ns,

Cessió
SMMSD701T1G
ON Semiconductor

SMMSD701T1G

Stock Part: 122960

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 70V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
NSVBAS21AHT1G
ON Semiconductor

NSVBAS21AHT1G

Stock Part: 103578

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
MUR260G
ON Semiconductor

MUR260G

Stock Part: 170362

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
SB02-09C-TB-E
ON Semiconductor

SB02-09C-TB-E

Stock Part: 183555

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 10ns,

Cessió
MR856G
ON Semiconductor

MR856G

Stock Part: 183120

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 300ns,

Cessió
NRVBM110ET1G
ON Semiconductor

NRVBM110ET1G

Stock Part: 146672

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 10V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 595mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió