Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: FET, MOSFET: senzill

  • Casa
  •  
  • Transistors: FET, MOSFET: senzill
NTMFS4701NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4701NT3G

Stock Part: 299

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
NTD3813N-35G
ON Semiconductor

NTD3813N-35G

Stock Part: 588

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 16V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), 51A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
NTD4855N-35G
ON Semiconductor

NTD4855N-35G

Stock Part: 499

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 98A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTD95N02R-001
ON Semiconductor

NTD95N02R-001

Stock Part: 6095

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 24V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 32A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
FQA6N90_F109
ON Semiconductor

FQA6N90_F109

Stock Part: 385

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 900V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3A, 10V,

Cessió
NTD60N02R-35G
ON Semiconductor

NTD60N02R-35G

Stock Part: 5688

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
NTD60N02R-1G
ON Semiconductor

NTD60N02R-1G

Stock Part: 353

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
NTGS3447PT1G
ON Semiconductor

NTGS3447PT1G

Stock Part: 444

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Cessió
NTD4806NA-1G
ON Semiconductor

NTD4806NA-1G

Stock Part: 469

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTD50N03RT4
ON Semiconductor

NTD50N03RT4

Stock Part: 298

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), 45A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 11.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

Cessió
NTD3055L170
ON Semiconductor

NTD3055L170

Stock Part: 270

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

Cessió
NTD65N03R
ON Semiconductor

NTD65N03R

Stock Part: 355

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTLJF3118NTAG
ON Semiconductor

NTLJF3118NTAG

Stock Part: 497

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

Cessió
NTD4857N-1G
ON Semiconductor

NTD4857N-1G

Stock Part: 6090

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 78A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTD65N03R-035
ON Semiconductor

NTD65N03R-035

Stock Part: 300

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTLJS4159NT1G
ON Semiconductor

NTLJS4159NT1G

Stock Part: 331

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2A, 4.5V,

Cessió
FDD8444L
ON Semiconductor

FDD8444L

Stock Part: 423

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
NTMS4872NR2G
ON Semiconductor

NTMS4872NR2G

Stock Part: 525

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 10.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10.2A, 10V,

Cessió
NTMFS4122NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4122NT3G

Stock Part: 387

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 14A, 10V,

Cessió
FDB8832
ON Semiconductor

FDB8832

Stock Part: 39081

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 34A (Ta), 80A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 80A, 10V,

Cessió
FDM6296
ON Semiconductor

FDM6296

Stock Part: 371

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 11.5A, 10V,

Cessió
FDC636P
ON Semiconductor

FDC636P

Stock Part: 589

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Cessió
NTD4863N-1G
ON Semiconductor

NTD4863N-1G

Stock Part: 444

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Ta), 49A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
FDI8441
ON Semiconductor

FDI8441

Stock Part: 458

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), 80A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

Cessió
NTMFS4835NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4835NT3G

Stock Part: 474

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 130A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 11.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTD78N03-035
ON Semiconductor

NTD78N03-035

Stock Part: 313

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

Cessió
FDR858P
ON Semiconductor

FDR858P

Stock Part: 332

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V,

Cessió
NTD85N02RG
ON Semiconductor

NTD85N02RG

Stock Part: 385

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 24V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 85A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
NTD4806NA-35G
ON Semiconductor

NTD4806NA-35G

Stock Part: 501

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTR4503NT1
ON Semiconductor

NTR4503NT1

Stock Part: 330

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V,

Cessió
NTD4804N-35G
ON Semiconductor

NTD4804N-35G

Stock Part: 470

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 11.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
FQU13N10LTU
ON Semiconductor

FQU13N10LTU

Stock Part: 106178

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió
NTD95N02R-1G
ON Semiconductor

NTD95N02R-1G

Stock Part: 6084

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 24V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 32A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
NVTFS5124PLTAG
ON Semiconductor

NVTFS5124PLTAG

Stock Part: 118550

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió
NTD3813NT4G
ON Semiconductor

NTD3813NT4G

Stock Part: 549

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 16V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), 51A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
NTF2955PT1G
ON Semiconductor

NTF2955PT1G

Stock Part: 500

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 2.4A, 10V,

Cessió