Transistors: FET, MOSFET: senzill

NTD3055L170-1G

NTD3055L170-1G

Stock Part: 311

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

Cessió
NTMFS4841NT3G

NTMFS4841NT3G

Stock Part: 528

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.3A (Ta), 57A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
FDPF12N35

FDPF12N35

Stock Part: 328

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 350V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

Cessió
NTMFS4707NT3G

NTMFS4707NT3G

Stock Part: 356

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
NTMFS4836NT3G

NTMFS4836NT3G

Stock Part: 546

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 90A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 11.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTD4855NT4G

NTD4855NT4G

Stock Part: 515

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 98A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTD78N03G

NTD78N03G

Stock Part: 343

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

Cessió
VN2222LLRLRA

VN2222LLRLRA

Stock Part: 385

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió
NTJS3157NT2G

NTJS3157NT2G

Stock Part: 115428

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V,

Cessió
NTD32N06G

NTD32N06G

Stock Part: 359

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 16A, 10V,

Cessió
NTD5406NG

NTD5406NG

Stock Part: 344

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12.2A (Ta), 70A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTD4810N-1G

NTD4810N-1G

Stock Part: 305

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 54A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 11.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTHD5904NT3

NTHD5904NT3

Stock Part: 298

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Cessió
FDD3N40TF

FDD3N40TF

Stock Part: 350

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 400V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió
NTY100N10G

NTY100N10G

Stock Part: 383

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 123A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
FDA15N65

FDA15N65

Stock Part: 348

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 8A, 10V,

Cessió
NTMFS4121NT3G

NTMFS4121NT3G

Stock Part: 360

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.25 mOhm @ 24A, 10V,

Cessió
NTD95N02R

NTD95N02R

Stock Part: 322

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 24V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 32A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
NTD4855N-1G

NTD4855N-1G

Stock Part: 445

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 98A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTD95N02RT4

NTD95N02RT4

Stock Part: 354

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 24V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 32A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
NTR2101PT1

NTR2101PT1

Stock Part: 316

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Cessió
NTD30N02G

NTD30N02G

Stock Part: 344

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 24V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTD60N02R-035

NTD60N02R-035

Stock Part: 372

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
NTD78N03-1G

NTD78N03-1G

Stock Part: 319

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

Cessió
NTR4502PT3G

NTR4502PT3G

Stock Part: 345

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.13A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.95A, 10V,

Cessió
FDPF7N50

FDPF7N50

Stock Part: 402

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

Cessió
FDMS8674

FDMS8674

Stock Part: 499

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 21A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17A, 10V,

Cessió
NTJS4405NT4

NTJS4405NT4

Stock Part: 365

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.7V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Cessió
NTR0202PLT3G

NTR0202PLT3G

Stock Part: 318

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 200mA, 10V,

Cessió
NTR4502PT1

NTR4502PT1

Stock Part: 6039

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.13A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.95A, 10V,

Cessió
NTD5407NG

NTD5407NG

Stock Part: 470

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 38A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
NTD4813N-35G

NTD4813N-35G

Stock Part: 494

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 11.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
FDS5682

FDS5682

Stock Part: 548

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

Cessió
SMP3003-TL-1E

SMP3003-TL-1E

Stock Part: 34602

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
NTMSD2P102R2

NTMSD2P102R2

Stock Part: 314

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Cessió
NTD4808NT4G

NTD4808NT4G

Stock Part: 489

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 63A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 11.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió