Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius | Productes de semiconductors discrets | 7

APTM10TAM19FPG

Stock Part: 905

Tipus FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 70A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 1mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60TAM35PG

Stock Part: 622

Tipus FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 72A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM20AM10STG

Stock Part: 814

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 175A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60HM70SCTG

Stock Part: 825

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 39A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM20HM20STG

Stock Part: 874

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 89A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60AM35T1G

Stock Part: 1737

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 72A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM120A20SG

Stock Part: 517

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 6mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTMC60TLM14CAG

Stock Part: 121

Tipus FET: 4 N-Channel (Three Level Inverter), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 219A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

Cessió

Microsemi Corporation

APTM20DUM04G

Stock Part: 485

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 372A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 10mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTMC120AM12CT3AG

Stock Part: 202

Tipus FET: 2 N Channel (Phase Leg), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 220A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60TAM21SCTPAG

Stock Part: 341

Tipus FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 116A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 88A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.6V @ 6mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM100A23STG

Stock Part: 772

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V (1kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 36A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60AM24T1G

Stock Part: 1322

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 95A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTMC120TAM17CTPAG

Stock Part: 81

Tipus FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 147A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.4V @ 20mA (Typ),

Cessió

Microsemi Corporation

APTM60H23FT1G

Stock Part: 2039

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 1mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM50AM38FTG

Stock Part: 808

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 90A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM120A29FTG

Stock Part: 635

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 34A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM50DHM38G

Stock Part: 726

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 90A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM20DUM08TG

Stock Part: 866

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 208A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM10AM02FG

Stock Part: 400

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 495A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 10mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM10DSKM09T3G

Stock Part: 1457

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 139A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60BBM24T3G

Stock Part: 1133

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 95A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTML602U12R020T3AG

Stock Part: 485

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 45A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60HM70BT3G

Stock Part: 1289

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 39A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM20HM16FTG

Stock Part: 748

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 104A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM20AM10FTG

Stock Part: 856

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 175A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTMC120AM09CT3AG

Stock Part: 162

Tipus FET: 2 N Channel (Phase Leg), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 295A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.4V @ 40mA (Typ),

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T1G

Stock Part: 2258

Tipus FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 39A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60AM45BC1G

Stock Part: 1478

Tipus FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 49A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM10TAM09FPG

Stock Part: 558

Tipus FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 139A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM100DSK35T3G

Stock Part: 1267

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V (1kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 22A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60AM45B1G

Stock Part: 1093

Tipus FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 49A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM100H46FT3G

Stock Part: 1492

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V (1kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 19A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM50HM75FTG

Stock Part: 809

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 46A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60HM24T3G

Stock Part: 757

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Super Junction, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 95A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM100AM90FG

Stock Part: 379

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V (1kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 78A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 10mA,

Cessió