| Lletra | Descripció |
| Estat de la peça | Active |
|---|---|
| Tipus FET | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Funció FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C | 219A (Tc) |
| RDS activat (màxim) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 150A, 20V |
| Vgs (th) (màx.) @ Id | 2.4V @ 30mA (Typ) |
| Càrrega de porta (Qg) (màx.) @ Vgs | 483nC @ 20V |
| Capacitància d'entrada (Ciss) (màx.) @ Vds | 8400pF @ 1000V |
| Potència: màx | 925W |
| Temperatura de funcionament | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipus de muntatge | Chassis Mount |
| Paquet / estoig | SP6 |
| Paquet de dispositius del proveïdor | SP6 |
| Estat de Rohs | Compleix ROHS |
|---|---|
| Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | No aplicable |
| Estat del cicle de vida | Obsolet / final de la vida |
| Categoria d'estoc | Estoc disponible |
