Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius | Productes de semiconductors discrets | 7

APTM20DUM05G

Stock Part: 536

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 317A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 10mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM100H35FTG

Stock Part: 731

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V (1kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 22A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM50AM35FTG

Stock Part: 766

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 99A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM50HM65FTG

Stock Part: 767

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 51A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM100TA35FPG

Stock Part: 533

Tipus FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V (1kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 22A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60HM70T1G

Stock Part: 1743

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 39A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM50HM35FG

Stock Part: 448

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 99A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM60A11FT1G

Stock Part: 2026

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 132 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60DHM24T3G

Stock Part: 1204

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Funció FET: Super Junction, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 95A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60AM24SCTG

Stock Part: 712

Tipus FET: 2 N Channel (Phase Leg), Funció FET: Super Junction, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 95A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTMC120HM17CT3AG

Stock Part: 306

Tipus FET: 4 N-Channel, Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 147A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 30mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM50DDA10T3G

Stock Part: 1671

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 37A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 1mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM50HM38FG

Stock Part: 461

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 90A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM120A15FG

Stock Part: 396

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 10mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC80TDU15PG

Stock Part: 936

Tipus FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 28A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM50AM17FG

Stock Part: 423

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 180A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 10mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM10DUM02G

Stock Part: 488

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 495A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 10mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTMC170AM60CT1AG

Stock Part: 196

Tipus FET: 2 N Channel (Phase Leg), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1700V (1.7kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.3V @ 2.5mA (Typ),

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60VDAM45T1G

Stock Part: 1797

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Super Junction, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 49A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM120H29FG

Stock Part: 261

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 34A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM10HM05FG

Stock Part: 446

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 278A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM50H15FT1G

Stock Part: 2107

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 25A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 1mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTMC170AM30CT1AG

Stock Part: 139

Tipus FET: 2 N Channel (Phase Leg), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1700V (1.7kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.3V @ 5mA (Typ),

Cessió

Microsemi Corporation

APTM08TAM04PG

Stock Part: 1065

Tipus FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 120A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 1mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM20HM08FG

Stock Part: 381

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 208A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM20AM05FG

Stock Part: 433

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 317A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 10mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM10HM09FT3G

Stock Part: 940

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 139A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM10HM19FT3G

Stock Part: 1470

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 70A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 1mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60HM83FT2G

Stock Part: 1719

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 36A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 3mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC80H15T1G

Stock Part: 1728

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 28A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM50AM38SCTG

Stock Part: 599

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 90A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM20HM10FG

Stock Part: 489

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 175A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 5mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60HM45SCTG

Stock Part: 743

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Super Junction, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 49A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC80H15T3G

Stock Part: 1759

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 28A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTC60HM35T3G

Stock Part: 248

Tipus FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 72A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Cessió

Microsemi Corporation

APTM50TAM65FPG

Stock Part: 545

Tipus FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 51A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Cessió