Diodes - Rectificadors - Individuals

Casa
Diodes - Rectificadors - Individuals

GeneSiC Semiconductor

1N3889

Stock Part: 12061

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3893R

Stock Part: 9557

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1188R

Stock Part: 14337

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

Stock Part: 7092

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1200A

Stock Part: 15967

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 12A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

Stock Part: 10679

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 40A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1190A

Stock Part: 11089

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 40A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

Stock Part: 7743

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1186A

Stock Part: 11112

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 40A,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3768R

Stock Part: 7145

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N2130AR

Stock Part: 10388

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3892

Stock Part: 11891

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3879

Stock Part: 12395

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3881R

Stock Part: 11499

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3881

Stock Part: 12277

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3883

Stock Part: 9906

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3879R

Stock Part: 15729

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3892R

Stock Part: 11929

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3883R

Stock Part: 9515

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N8035-GA

Stock Part: 457

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 14.6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 15A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N8034-GA

Stock Part: 435

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 9.4A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.34V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N8028-GA

Stock Part: 456

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 9.4A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

Stock Part: 472

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 1A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3889R

Stock Part: 12088

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N8033-GA

Stock Part: 413

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4.3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR3530R

Stock Part: 5706

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 35A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

SD4145R

Stock Part: 6557

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S40MR

Stock Part: 9616

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 40A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S150Q

Stock Part: 2529

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR8060R

Stock Part: 5428

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 80A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR6035

Stock Part: 5414

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH12030

Stock Part: 2907

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S300B

Stock Part: 2041

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 300A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S380ZR

Stock Part: 2007

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 2000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 380A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 380A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR12DR05

Stock Part: 16846

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURH7010

Stock Part: 31

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 70A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

745

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»