| Lletra | Descripció |
| Estat de la peça | Obsolete |
|---|---|
| Tipus de díode | Silicon Carbide Schottky |
| Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.) | 650V |
| Actual: mitjana rectificada (Io) | 9.4A (DC) |
| Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si | 1.34V @ 10A |
| Velocitat | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de recuperació inversa (TRR) | 0ns |
| Actual - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 650V |
| Capacitància @ Vr, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
| Tipus de muntatge | Through Hole |
| Paquet / estoig | TO-257-3 |
| Paquet de dispositius del proveïdor | TO-257 |
| Temperatura de funcionament: unió | -55°C ~ 250°C |
| Estat de Rohs | Compleix ROHS |
|---|---|
| Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | No aplicable |
| Estat del cicle de vida | Obsolet / final de la vida |
| Categoria d'estoc | Estoc disponible |
