Diodes - Rectificadors - Individuals

Casa
Diodes - Rectificadors - Individuals

GeneSiC Semiconductor

1N3291AR

Stock Part: 3417

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 100A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3891R

Stock Part: 16921

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N4590R

Stock Part: 3412

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3880R

Stock Part: 13811

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3209

Stock Part: 13529

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 15A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3213

Stock Part: 11107

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 15A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3880

Stock Part: 14083

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N2129AR

Stock Part: 13690

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N4594R

Stock Part: 3438

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3767

Stock Part: 9608

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 900V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N2135A

Stock Part: 9653

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3673A

Stock Part: 14041

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 12A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1183

Stock Part: 10080

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N2137A

Stock Part: 9613

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N2128A

Stock Part: 11407

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N5830R

Stock Part: 5593

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 25V, Actual: mitjana rectificada (Io): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1200AR

Stock Part: 33046

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 12A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3291A

Stock Part: 3466

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 100A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N5830

Stock Part: 5574

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 25V, Actual: mitjana rectificada (Io): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N5827

Stock Part: 5625

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N2138A

Stock Part: 10413

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

150K20A

Stock Part: 3464

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.33V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N5829

Stock Part: 5641

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N4593

Stock Part: 3414

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1202A

Stock Part: 14566

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 12A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

150K60A

Stock Part: 3470

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.33V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N6098R

Stock Part: 5580

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 50A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1184R

Stock Part: 12133

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1199AR

Stock Part: 23979

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 12A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3294A

Stock Part: 3476

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 100A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

150KR40A

Stock Part: 3450

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.33V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3767R

Stock Part: 9573

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 900V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N2131A

Stock Part: 8790

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1183AR

Stock Part: 10983

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 40A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3297AR

Stock Part: 3413

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 100A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3289A

Stock Part: 3418

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 100A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

745

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»