Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 21

1N1184AR

Stock Part: 15082

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 40A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3295A

Stock Part: 3423

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 100A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1189R

Stock Part: 63

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N6095

Stock Part: 5630

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N4588R

Stock Part: 3431

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3882R

Stock Part: 13616

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3296AR

Stock Part: 3451

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 100A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N2129A

Stock Part: 10804

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N6097

Stock Part: 5607

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 50A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3212

Stock Part: 14924

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 15A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3765R

Stock Part: 9630

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 700V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1190

Stock Part: 10824

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3766R

Stock Part: 9633

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N5833R

Stock Part: 5570

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1186

Stock Part: 13872

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N4588

Stock Part: 3389

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3671A

Stock Part: 13788

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 12A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3890

Stock Part: 15975

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N5832R

Stock Part: 5637

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

150KR20A

Stock Part: 3465

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.33V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3210R

Stock Part: 14992

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 15A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1189

Stock Part: 11471

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3296A

Stock Part: 3452

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 100A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N6096R

Stock Part: 5597

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N5826

Stock Part: 5569

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 440mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N5826R

Stock Part: 5576

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 440mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N1187

Stock Part: 14520

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N5827R

Stock Part: 5573

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3289AR

Stock Part: 3442

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 100A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3208

Stock Part: 10062

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 15A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N4593R

Stock Part: 3446

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N5833

Stock Part: 5595

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3212R

Stock Part: 13593

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 15A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N8032-GA

Stock Part: 411

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 2.5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N3765

Stock Part: 9603

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 700V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

1N2130A

Stock Part: 13757

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió