Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: FET, MOSFET: senzill

  • Casa
  •  
  • Transistors: FET, MOSFET: senzill
DMN2004K-7
Diodes Incorporated

DMN2004K-7

Stock Part: 155745

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 630mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V,

Cessió
DMP2160UW-7
Diodes Incorporated

DMP2160UW-7

Stock Part: 199493

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Cessió
DMG1012T-7
Diodes Incorporated

DMG1012T-7

Stock Part: 199063

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 630mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Cessió
DMN3404L-7
Diodes Incorporated

DMN3404L-7

Stock Part: 173192

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.8A, 10V,

Cessió
ZXMP6A13FTA
Diodes Incorporated

ZXMP6A13FTA

Stock Part: 115075

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 900mA, 10V,

Cessió
DMN2990UFA-7B
Diodes Incorporated

DMN2990UFA-7B

Stock Part: 183183

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 510mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.2V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Cessió
DMN63D8LW-13
Diodes Incorporated

DMN63D8LW-13

Stock Part: 156331

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 380mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V,

Cessió
DMP2008UFG-7
Diodes Incorporated

DMP2008UFG-7

Stock Part: 160456

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 54A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 4.5V,

Cessió
DMN2300UFB4-7B
Diodes Incorporated

DMN2300UFB4-7B

Stock Part: 128741

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 300mA, 4.5V,

Cessió
DMN1019UFDE-7
Diodes Incorporated

DMN1019UFDE-7

Stock Part: 172216

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.2V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

Cessió
DMN65D8L-7
Diodes Incorporated

DMN65D8L-7

Stock Part: 181374

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V,

Cessió
DMN3065LW-7
Diodes Incorporated

DMN3065LW-7

Stock Part: 170419

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V,

Cessió
DMG3420U-7
Diodes Incorporated

DMG3420U-7

Stock Part: 123813

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.47A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V,

Cessió
DMG2302UK-7
Diodes Incorporated

DMG2302UK-7

Stock Part: 169896

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Cessió
DMG2307L-7
Diodes Incorporated

DMG2307L-7

Stock Part: 136538

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V,

Cessió
DMN60H4D5SK3-13
Diodes Incorporated

DMN60H4D5SK3-13

Stock Part: 129490

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió