Transistors: FET, MOSFET: senzill

Casa
Transistors: FET, MOSFET: senzill

Diodes Incorporated

DMP4015SSSQ-13

Stock Part: 179528

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN63D1L-13

Stock Part: 133502

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 380mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN1008UFDF-13

Stock Part: 21539

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 5A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN65D8LQ-13

Stock Part: 133466

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP6023LE-13

Stock Part: 118375

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), 18.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP2021UFDE-13

Stock Part: 178239

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZVP3306A

Stock Part: 104669

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 160mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZXMN6A11GTA

Stock Part: 144705

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP2078LCA3-7

Stock Part: 21525

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 500mA, 8V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP21D5UFD-7

Stock Part: 129814

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.2V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMT5015LFDF-13

Stock Part: 193903

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZVP4424GTA

Stock Part: 140930

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 240V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 480mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN15H310SE-13

Stock Part: 144145

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), 7.1A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 1.5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZVP2110GTA

Stock Part: 148022

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN601WKQ-13

Stock Part: 106529

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP31D0UFB4-7B

Stock Part: 190747

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 540mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 400mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP2045U-7

Stock Part: 24343

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP4065SQ-7

Stock Part: 24380

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.2A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP31D0U-7

Stock Part: 103422

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 530mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 400mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZXMN2A14FTA

Stock Part: 197638

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZXMN6A09KTC

Stock Part: 21559

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 7.3A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN6040SSS-13

Stock Part: 159417

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN2990UFO-7B

Stock Part: 21563

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 750mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

VN10LP

Stock Part: 97708

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN53D0L-13

Stock Part: 198739

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN13H750S-7

Stock Part: 103087

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 130V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP32D5SFB-7B

Stock Part: 128189

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZXMN6A07ZTA

Stock Part: 186252

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZVP4525GTA

Stock Part: 151675

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 265mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN67D8L-7

Stock Part: 111371

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 210mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMG6402LVT-7

Stock Part: 139093

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN62D1SFB-7B

Stock Part: 106857

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 410mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 40mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP58D0LFB-7

Stock Part: 174157

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 5V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZXMN10B08E6TA

Stock Part: 135134

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.3V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.6A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DI9405T

Stock Part: 5905

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP56D0UFB-7B

Stock Part: 150649

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V,

Cessió

1420

«
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
»