Transistors: FET, MOSFET: senzill

Casa
Transistors: FET, MOSFET: senzill

Diodes Incorporated

DMN67D8LW-13

Stock Part: 135435

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 240mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP3028LFDE-13

Stock Part: 135649

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 7A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMG3418L-7

Stock Part: 186796

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP32D4S-7

Stock Part: 146620

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 300mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMT2004UFDF-7

Stock Part: 113972

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 24V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 9A, 10V,

Cessió

DMN10H099SK3-13

Diodes Incorporated

DMN10H099SK3-13

Stock Part: 152044

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.3A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP6023LFG-7

Stock Part: 199658

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZXMN3F30FHTA

Stock Part: 129330

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.2A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZVN4424A

Stock Part: 59072

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 240V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP3010LK3Q-13

Stock Part: 124976

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZVN2110A

Stock Part: 92720

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP3098LQ-7

Stock Part: 156859

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP22D4UFA-7B

Stock Part: 104627

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 330mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.2V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN33D8LT-13

Stock Part: 197367

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 10mA, 4V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZXMP6A13GTA

Stock Part: 162793

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 900mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN62D0UW-7

Stock Part: 171441

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 340mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZVN4206A

Stock Part: 87237

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN601WK-7

Stock Part: 144404

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZXMP10A17E6TA

Stock Part: 105905

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1.4A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN3065LW-13

Stock Part: 132048

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN2020LSN-7

Stock Part: 174518

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.4A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP10H400SE-13

Stock Part: 157480

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), 6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP1045UFY4-7

Stock Part: 123114

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP3050LVT-7

Stock Part: 135124

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZXMP4A16GTA

Stock Part: 184987

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.8A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN3016LFDE-7

Stock Part: 165888

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN1019USN-13

Stock Part: 169634

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.2V, 2.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP2047UCB4-7

Stock Part: 181130

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 1A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZVN3306A

Stock Part: 85164

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMG2305UX-7

Stock Part: 122166

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZVP0545GTA

Stock Part: 176181

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 450V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN3150L-7

Stock Part: 195321

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 28V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN4034SSS-13

Stock Part: 160325

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP3125L-7

Stock Part: 58796

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3.8A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZXMN10A07FTA

Stock Part: 105713

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 700mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN61D9U-7

Stock Part: 142317

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 380mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

Cessió

1420

«
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
»