Transistors: FET, MOSFET: senzill

Casa
Transistors: FET, MOSFET: senzill

Diodes Incorporated

DMN2550UFA-7B

Stock Part: 103826

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 200mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN61D9UWQ-13

Stock Part: 21560

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZXMP2120FFTA

Stock Part: 159209

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 137mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 Ohm @ 150mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN2028UFDF-7

Stock Part: 159974

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 4A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN10H700S-13

Stock Part: 135827

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 700mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMG1013UWQ-13

Stock Part: 151692

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 820mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 430mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP2022LSS-13

Stock Part: 145329

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP3008SFG-7

Stock Part: 107553

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN3067LW-13

Stock Part: 165000

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP21D2UFA-7B

Stock Part: 167702

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 330mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP32D9UFZ-7B

Stock Part: 134256

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.2V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZVN4306GTA

Stock Part: 110967

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZVP2106GTA

Stock Part: 147984

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZVNL110A

Stock Part: 85187

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP1022UFDF-13

Stock Part: 163019

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.2V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14.8 mOhm @ 4A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN62D0UW-13

Stock Part: 136632

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 340mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN1150UFB-7B

Stock Part: 138663

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.41A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP2023UFDF-7

Stock Part: 105373

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN2056U-7

Stock Part: 122571

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP22D4UFO-7B

Stock Part: 21558

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 530mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZVN2106GTA

Stock Part: 189144

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 710mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP3028LFDE-7

Stock Part: 154395

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 7A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP3130LQ-7

Stock Part: 150665

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 4.2A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN63D8L-7

Stock Part: 128228

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMT69M8LPS-13

Stock Part: 164017

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10.2A (Ta), 70A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN2250UFB-7B

Stock Part: 21565

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.35A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZVNL110GTA

Stock Part: 164391

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

ZXM64N02XTA

Stock Part: 134557

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.7V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN61D9UW-7

Stock Part: 127904

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 340mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMG3406L-7

Stock Part: 182146

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMT5015LFDF-7

Stock Part: 174089

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 10V,

Cessió

DMN10H170SK3-13

Diodes Incorporated

DMN10H170SK3-13

Stock Part: 155583

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN31D5UFZ-7B

Stock Part: 174305

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 220mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.2V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMN2400UFD-7

Stock Part: 119418

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 200mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP2104V-7

Stock Part: 130887

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 950mA, 4.5V,

Cessió

Diodes Incorporated

DMP2240UW-7

Stock Part: 196724

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2A, 4.5V,

Cessió

1420

«
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
»