Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius | Productes de semiconductors discrets | 100

PMGD280UN,115

Stock Part: 179576

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 870mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

NX3020NAKV,115

Stock Part: 155135

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PMGD175XNEX

Stock Part: 139161

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 870mA (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 252 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.25V @ 250µA,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NVMFD5873NLWFT1G

Stock Part: 71856

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NTJD4105CT1G

Stock Part: 180528

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 630mA, 775mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

FDS4935BZ

Stock Part: 185680

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

FDME1024NZT

Stock Part: 131909

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Vishay Siliconix

SQJ968EP-T1_GE3

Stock Part: 165139

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 23.5A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 33.6 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Vishay Siliconix

SIZ710DT-T1-GE3

Stock Part: 110666

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A, 35A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.2V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Vishay Siliconix

SI5513CDC-T1-E3

Stock Part: 128739

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A, 3.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Vishay Siliconix

SI4286DY-T1-GE3

Stock Part: 153479

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 32.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Vishay Siliconix

SQ4946AEY-T1_GE3

Stock Part: 121475

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Vishay Siliconix

SIB900EDK-T1-GE3

Stock Part: 148740

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Vishay Siliconix

SI5515CDC-T1-E3

Stock Part: 195955

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 800mV @ 250µA,

A la llista de desitjos

Vishay Siliconix

SQ3585EV-T1_GE3

Stock Part: 2632

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 1A, 4.5V, 166 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Vishay Siliconix

SI1922EDH-T1-GE3

Stock Part: 148911

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 198 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Vishay Siliconix

SI7212DN-T1-GE3

Stock Part: 141942

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.6V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Vishay Siliconix

SQS966ENW-T1_GE3

Stock Part: 2544

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 1.25A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Vishay Siliconix

SI1016CX-T1-GE3

Stock Part: 151464

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

IRF7311TRPBF

Stock Part: 168715

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 700mV @ 250µA,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

IRF7316TRPBF

Stock Part: 172337

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

IRF7904TRPBF

Stock Part: 188754

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.6A, 11A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.25V @ 25µA,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

IRF7303TRPBF

Stock Part: 185377

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

IPG20N04S408AATMA1

Stock Part: 101294

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 30µA,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

IRF7342TRPBF

Stock Part: 156976

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

SH8K4TB1

Stock Part: 107909

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

QS8J1TR

Stock Part: 162895

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

QS8J11TCR

Stock Part: 180714

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

A la llista de desitjos

Diodes Incorporated

DMN6040SSD-13

Stock Part: 169983

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Diodes Incorporated

DMN3018SSD-13

Stock Part: 138401

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.1V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Diodes Incorporated

DMN2004VK-7

Stock Part: 165948

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 540mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Diodes Incorporated

DMP4025LSD-13

Stock Part: 193316

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.8V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Diodes Incorporated

DMN63D8LDW-7

Stock Part: 177171

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 220mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Diodes Incorporated

DMN5L06VK-7

Stock Part: 133884

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 280mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM6968DCA RVG

Stock Part: 25858

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

A la llista de desitjos

Central Semiconductor Corp

CMLDM7484 TR

Stock Part: 177095

Tipus FET: N and P-Channel Complementary, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 450mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

A la llista de desitjos