Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius

IPG20N06S4L11AATMA1

IPG20N06S4L11AATMA1

Stock Part: 94288

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.2V @ 28µA,

IRF7309TRPBF

IRF7309TRPBF

Stock Part: 150382

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A, 3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

IPG20N04S408ATMA1

IPG20N04S408ATMA1

Stock Part: 104533

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 30µA,

IPG20N10S4L35AATMA1

IPG20N10S4L35AATMA1

Stock Part: 155833

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.1V @ 16µA,

IPG20N04S412ATMA1

IPG20N04S412ATMA1

Stock Part: 172931

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 15µA,

IPG20N10S436AATMA1

IPG20N10S436AATMA1

Stock Part: 139478

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.5V @ 16µA,

SI9926CDY-T1-GE3

SI9926CDY-T1-GE3

Stock Part: 111109

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SQJ504EP-T1_GE3

SQJ504EP-T1_GE3

Stock Part: 2528

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

Stock Part: 93645

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 8.2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3

Stock Part: 172002

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

SQJ244EP-T1_GE3

SQJ244EP-T1_GE3

Stock Part: 2521

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), 60A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI6562CDQ-T1-GE3

SI6562CDQ-T1-GE3

Stock Part: 161237

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.7A, 6.1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI6913DQ-T1-GE3

SI6913DQ-T1-GE3

Stock Part: 172370

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 900mV @ 400µA,

SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Stock Part: 170890

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

Stock Part: 136680

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A, 60A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 250µA,

QS6J11TR

QS6J11TR

Stock Part: 168987

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

EM6K7T2R

EM6K7T2R

Stock Part: 107116

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,

QS8K2TR

QS8K2TR

Stock Part: 107158

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 1mA,

QS6J3TR

QS6J3TR

Stock Part: 190781

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 1mA,

FDS8960C

FDS8960C

Stock Part: 111818

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 35V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A, 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

NTLUD3A260PZTAG

NTLUD3A260PZTAG

Stock Part: 147558

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

NTZD3154NT1G

NTZD3154NT1G

Stock Part: 148850

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 540mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

FDC6312P

FDC6312P

Stock Part: 122807

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6910

FDS6910

Stock Part: 118152

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT1G

NTJD4401NT1G

Stock Part: 126305

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 630mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

CSD87333Q3D

CSD87333Q3D

Stock Part: 148026

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Funció FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14.3 mOhm @ 4A, 8V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 250µA,

CSD75208W1015

CSD75208W1015

Stock Part: 129424

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual) Common Source, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.1V @ 250µA,

DMG9926UDM-7

DMG9926UDM-7

Stock Part: 140078

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Stock Part: 180036

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.33A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMN6066SSD-13

DMN6066SSD-13

Stock Part: 191351

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC4040SSD-13

DMC4040SSD-13

Stock Part: 197787

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.8V @ 250µA,

PMDXB600UNELZ

PMDXB600UNELZ

Stock Part: 153614

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 600mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 950mV @ 250µA,

NX3008NBKS,115

NX3008NBKS,115

Stock Part: 184047

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 350mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.1V @ 250µA,

EPC2107

EPC2107

Stock Part: 79571

Tipus FET: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), Funció FET: GaNFET (Gallium Nitride), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.7A, 500mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

SSM6N7002KFU,LF

SSM6N7002KFU,LF

Stock Part: 124781

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 300mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.1V @ 250µA,