Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius

QS8M13TCR

QS8M13TCR

Stock Part: 158531

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8J2TB

SP8J2TB

Stock Part: 2628

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SH8M41GZETB

SH8M41GZETB

Stock Part: 127920

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.4A, 2.6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

QH8MA2TCR

QH8MA2TCR

Stock Part: 145176

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, 3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SH8K22TB1

SH8K22TB1

Stock Part: 169285

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 45V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

QS6M3TR

QS6M3TR

Stock Part: 170246

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 1mA,

QS6J1TR

QS6J1TR

Stock Part: 160158

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 1mA,

HUFA76407DK8T-F085

HUFA76407DK8T-F085

Stock Part: 3322

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMC8200S

FDMC8200S

Stock Part: 148692

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, 8.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

NTHD3102CT1G

NTHD3102CT1G

Stock Part: 118797

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A, 3.1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDC3601N

FDC3601N

Stock Part: 102462

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 250µA,

IRF7389TRPBF

IRF7389TRPBF

Stock Part: 166810

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7907TRPBF

IRF7907TRPBF

Stock Part: 173843

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.1A, 11A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.35V @ 25µA,

IRFHM792TRPBF

IRFHM792TRPBF

Stock Part: 82378

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 10µA,

IRF7506TRPBF

IRF7506TRPBF

Stock Part: 149700

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF9362TRPBF

IRF9362TRPBF

Stock Part: 188725

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.4V @ 25µA,

IRF7509TRPBF

IRF7509TRPBF

Stock Part: 158332

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.7A, 2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

IPG20N06S4L14AATMA1

IPG20N06S4L14AATMA1

Stock Part: 125877

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.2V @ 20µA,

DMP2004VK-7

DMP2004VK-7

Stock Part: 179589

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 530mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Stock Part: 2640

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMN61D9UDW-7

DMN61D9UDW-7

Stock Part: 182168

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 350mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

DMC2700UDM-7

DMC2700UDM-7

Stock Part: 130711

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.34A, 1.14A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13

Stock Part: 180355

Tipus FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, 4.2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 250µA,

SI1034CX-T1-GE3

SI1034CX-T1-GE3

Stock Part: 141761

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 610mA (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

SQ1922EEH-T1_GE3

SQ1922EEH-T1_GE3

Stock Part: 2536

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 840mA (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Stock Part: 2512

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SIA906EDJ-T1-GE3

SIA906EDJ-T1-GE3

Stock Part: 181601

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.4V @ 250µA,

SI7228DN-T1-GE3

SI7228DN-T1-GE3

Stock Part: 108156

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 26A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SIZ200DT-T1-GE3

SIZ200DT-T1-GE3

Stock Part: 2544

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.4V @ 250µA,

SI5908DC-T1-E3

SI5908DC-T1-E3

Stock Part: 118929

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

Stock Part: 2589

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 250µA,

SQ1912EH-T1_GE3

SQ1912EH-T1_GE3

Stock Part: 132067

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 800mA (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI7272DP-T1-GE3

SI7272DP-T1-GE3

Stock Part: 110674

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 25A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NX138AKSF

NX138AKSF

Stock Part: 110186

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 170mA, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

EPC2110

EPC2110

Stock Part: 26911

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Funció FET: GaNFET (Gallium Nitride), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 120V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 700µA,

EPC2108

EPC2108

Stock Part: 83651

Tipus FET: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), Funció FET: GaNFET (Gallium Nitride), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.7A, 500mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,