Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius

CMRDM3575 TR

CMRDM3575 TR

Stock Part: 101846

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 160mA, 140mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF9952

IRF9952

Stock Part: 2678

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7105PBF

IRF7105PBF

Stock Part: 95108

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

IRF7311TR

IRF7311TR

Stock Part: 3313

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 700mV @ 250µA,

IRF6802SDTR1PBF

IRF6802SDTR1PBF

Stock Part: 2905

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.1V @ 35µA,

IRF6702M2DTRPBF

IRF6702M2DTRPBF

Stock Part: 2830

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.35V @ 25µA,

IRF9362PBF

IRF9362PBF

Stock Part: 2823

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.4V @ 25µA,

IRF7316GTRPBF

IRF7316GTRPBF

Stock Part: 2626

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7555TR

IRF7555TR

Stock Part: 2893

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF5810

IRF5810

Stock Part: 2637

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRFH7911TR2PBF

IRFH7911TR2PBF

Stock Part: 2817

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A, 28A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.35V @ 25µA,

FDC6036P_F077

FDC6036P_F077

Stock Part: 2788

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6812A

FDS6812A

Stock Part: 2711

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.7A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6302P

FDG6302P

Stock Part: 2666

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 140mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 140mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTQD4154ZR2

NTQD4154ZR2

Stock Part: 2660

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTTD1P02R2

NTTD1P02R2

Stock Part: 2729

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.45A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.4V @ 250µA,

NTJD4105CT2

NTJD4105CT2

Stock Part: 2725

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 630mA, 775mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FW813-TL-H

FW813-TL-H

Stock Part: 2907

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5A, 10V,

MMDF1N05ER2

MMDF1N05ER2

Stock Part: 2640

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD2152PT4G

NTJD2152PT4G

Stock Part: 2775

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 775mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

NTLJD3119CTAG

NTLJD3119CTAG

Stock Part: 2878

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.6A, 2.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

NTZD3152PT5G

NTZD3152PT5G

Stock Part: 2734

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 430mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

QJD1210SA2

QJD1210SA2

Stock Part: 2896

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.6V @ 34mA,

DMC3036LSD-13

DMC3036LSD-13

Stock Part: 2792

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.1V @ 250µA,

ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Stock Part: 2746

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Stock Part: 141799

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 400mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 250µA,

ZVN4206NTC

ZVN4206NTC

Stock Part: 2706

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V,

SI5975DC-T1-E3

SI5975DC-T1-E3

Stock Part: 2864

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 450mV @ 1mA (Min),

SI6973DQ-T1-E3

SI6973DQ-T1-E3

Stock Part: 2882

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI1988DH-T1-GE3

SI1988DH-T1-GE3

Stock Part: 2796

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

SIZ900DT-T1-GE3

SIZ900DT-T1-GE3

Stock Part: 87000

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 24A, 28A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.4V @ 250µA,

SI7958DP-T1-E3

SI7958DP-T1-E3

Stock Part: 3297

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

SI4816DY-T1-GE3

SI4816DY-T1-GE3

Stock Part: 2804

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.3A, 7.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 250µA,

EPC2103ENG

EPC2103ENG

Stock Part: 2868

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: GaNFET (Gallium Nitride), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 23A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 7mA,

STL60N32N3LL

STL60N32N3LL

Stock Part: 2652

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 32A, 60A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1µA,

SP8K5FU6TB

SP8K5FU6TB

Stock Part: 180120

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,