Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius

SI3981DV-T1-GE3

SI3981DV-T1-GE3

Stock Part: 2791

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.1V @ 250µA,

SI5920DC-T1-E3

SI5920DC-T1-E3

Stock Part: 2798

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

SI1913EDH-T1-E3

SI1913EDH-T1-E3

Stock Part: 2794

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 880mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 450mV @ 100µA,

SI7214DN-T1-GE3

SI7214DN-T1-GE3

Stock Part: 99144

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

SI6981DQ-T1-GE3

SI6981DQ-T1-GE3

Stock Part: 2836

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 900mV @ 300µA,

SI6562DQ-T1-E3

SI6562DQ-T1-E3

Stock Part: 3304

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

SIZ342DT-T1-GE3

SIZ342DT-T1-GE3

Stock Part: 178805

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15.7A (Ta), 100A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.4V @ 250µA,

SI4330DY-T1-E3

SI4330DY-T1-E3

Stock Part: 2782

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

SI4953ADY-T1-GE3

SI4953ADY-T1-GE3

Stock Part: 2804

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SI4622DY-T1-GE3

SI4622DY-T1-GE3

Stock Part: 2878

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SI9934BDY-T1-E3

SI9934BDY-T1-E3

Stock Part: 3305

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.4A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.4V @ 250µA,

SI3948DV-T1-E3

SI3948DV-T1-E3

Stock Part: 2733

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Stock Part: 118968

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.4A, 8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.7V @ 250µA,

SI4618DY-T1-GE3

SI4618DY-T1-GE3

Stock Part: 64981

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A, 15.2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

EMH2408-TL-H

EMH2408-TL-H

Stock Part: 2843

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

FDS8934A

FDS8934A

Stock Part: 2753

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

MMDF2N02ER2G

MMDF2N02ER2G

Stock Part: 2690

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

NTHD2102PT1G

NTHD2102PT1G

Stock Part: 3360

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FW276-TL-2H

FW276-TL-2H

Stock Part: 3348

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 450V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 700mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12.1 Ohm @ 350mA, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4.5V @ 1mA,

NVMD6N03R2G

NVMD6N03R2G

Stock Part: 2901

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

MCH6601-TL-E

MCH6601-TL-E

Stock Part: 168759

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

NTQD6866R2G

NTQD6866R2G

Stock Part: 2711

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NTUD3128NT5G

NTUD3128NT5G

Stock Part: 2747

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 160mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF5852

IRF5852

Stock Part: 2710

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.25V @ 250µA,

IRF7751TRPBF

IRF7751TRPBF

Stock Part: 2786

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

IRF7504TR

IRF7504TR

Stock Part: 2662

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 700mV @ 250µA,

IRF7319PBF

IRF7319PBF

Stock Part: 85832

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7509TR

IRF7509TR

Stock Part: 2686

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.7A, 2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7303QTRPBF

IRF7303QTRPBF

Stock Part: 2779

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF6723M2DTRPBF

IRF6723M2DTRPBF

Stock Part: 2819

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.35V @ 25µA,

IRFH4255DTRPBF

IRFH4255DTRPBF

Stock Part: 2936

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 64A, 105A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.1V @ 35µA,

ZXMP3F37DN8TA

ZXMP3F37DN8TA

Stock Part: 2938

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

TPC8212-H(TE12LQ,M

TPC8212-H(TE12LQ,M

Stock Part: 2781

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.3V @ 1mA,

IXTL2X220N075T

IXTL2X220N075T

Stock Part: 2763

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 120A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 250µA,

SP8K1TB

SP8K1TB

Stock Part: 2651

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

UP04878G0L

UP04878G0L

Stock Part: 2789

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 1µA,