Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius

DMC1030UFDBQ-13

Stock Part: 156497

Tipus FET: N and P-Channel Complementary, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN62D0UT-13

Stock Part: 146726

DMP57D5UV-7

Stock Part: 2791

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 160mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

RJM0603JSC-00#12

Stock Part: 2981

Tipus FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

NTLUD3A260PZTBG

Stock Part: 162644

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

FDPC3D5N025X9D

Stock Part: 97245

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 74A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.01 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS8949

Stock Part: 64827

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8655R-TL-H

Stock Part: 174892

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 24V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

NDS8958

Stock Part: 2659

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.3A, 4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.8V @ 250µA,

NTHD3100CT3

Stock Part: 2692

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 3.2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDY4001CZ

Stock Part: 2688

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA, 150mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMD6P02R2SG

Stock Part: 2763

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 250µA,

MMDF3N04HDR2

Stock Part: 2667

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3660S-F121

Stock Part: 2953

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A, 30A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.7V @ 250µA,

NTMD2P01R2G

Stock Part: 2669

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 16V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

VEC2616-TL-H-Z

Stock Part: 2971

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V,

GWM180-004X2-SL

Stock Part: 3066

Tipus FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 180A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4.5V @ 1mA,

SI4830CDY-T1-E3

Stock Part: 135865

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 1mA,

SI5935DC-T1-E3

Stock Part: 3338

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

SI6969BDQ-T1-GE3

Stock Part: 2845

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 800mV @ 250µA,

SI3585DV-T1-E3

Stock Part: 2733

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A, 1.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

SI4916DY-T1-E3

Stock Part: 159074

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A, 10.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

SI7872DP-T1-E3

Stock Part: 71511

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

SI6966DQ-T1-E3

Stock Part: 2873

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.4V @ 250µA,

SI4992EY-T1-E3

Stock Part: 2722

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

SI4967DY-T1-GE3

Stock Part: 3379

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI1972DH-T1-E3

Stock Part: 2739

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.8V @ 250µA,

SIA920DJ-T1-GE3

Stock Part: 118547

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.3A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 700mV @ 250µA,

SI3588DV-T1-E3

Stock Part: 2762

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A, 570mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI4388DY-T1-GE3

Stock Part: 2870

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10.7A, 11.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

STS3DNE60L

Stock Part: 2665

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

STS5DNF20V

Stock Part: 2698

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 600mV @ 250µA,

IRF7901D1TR

Stock Part: 2718

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7324

Stock Part: 2912

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7752

Stock Part: 2653

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 250µA,

SSM6L36FE,LM

Stock Part: 107404

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA, 330mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 1mA,