Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Matrius

MBR1060CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1060CT C0G

Stock Part: 72

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MUR1620CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1620CTHC0G

Stock Part: 168

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR1035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1035CTHC0G

Stock Part: 164

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR40150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR40150PT C0G

Stock Part: 98

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.01V @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
GP1004HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1004HC0G

Stock Part: 158

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
GP1003 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1003 C0G

Stock Part: 151

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
GP1606HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1606HC0G

Stock Part: 158

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
HERF1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1004G C0G

Stock Part: 107

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR20150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20150CTHC0G

Stock Part: 137

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.23V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SR10150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR10150HC0G

Stock Part: 126

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR1550CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1550CTHC0G

Stock Part: 162

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR30L60CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L60CTHC0G

Stock Part: 167

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR30150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30150PT C0G

Stock Part: 72

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.02V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SRF20150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20150 C0G

Stock Part: 144

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.02V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRF20L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L100CT C0G

Stock Part: 97

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR15100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15100CTHC0G

Stock Part: 75

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
UGF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2004GHC0G

Stock Part: 161

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRS2090CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2090CTHMNG

Stock Part: 78

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRS1050CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1050CTHMNG

Stock Part: 111

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRF30L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30L120CT C0G

Stock Part: 136

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-VSKDU300/06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDU300/06PBF

Stock Part: 883

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 230A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.96V @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-16CTQ060HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ060HN3

Stock Part: 69129

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SS10P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4C-M3/87A

Stock Part: 192460

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 530mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-4CSH01HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH01HM3/87A

Stock Part: 178462

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SS8P6CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P6CHM3_A/I

Stock Part: 183549

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-6CSH01HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CSH01HM3/86A

Stock Part: 198211

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 940mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-MBRB3030CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB3030CTL-M3

Stock Part: 68901

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-48CTQ060STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-48CTQ060STRR-M3

Stock Part: 56322

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 610mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
CDBD10100-G
Comchip Technology

CDBD10100-G

Stock Part: 135755

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MD36A16D1-BP
Micro Commercial Co

MD36A16D1-BP

Stock Part: 3149

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 36A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 100A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
DA228KFHT146
Rohm Semiconductor

DA228KFHT146

Stock Part: 66

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

A la llista de desitjos
MSRTA400120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400120(A)

Stock Part: 1232

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 400A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MSRTA500160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500160(A)

Stock Part: 811

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 500A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 500A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MSRTA400140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400140(A)

Stock Part: 1275

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 400A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
PMEG3020CPASX
Nexperia USA Inc.

PMEG3020CPASX

Stock Part: 155154

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 440mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
DA5S101K0R
Panasonic Electronic Components

DA5S101K0R

Stock Part: 131149

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

A la llista de desitjos