Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Matrius

RB088NS150FHTL
Rohm Semiconductor

RB088NS150FHTL

Stock Part: 107

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
DAP222MFHT2L
Rohm Semiconductor

DAP222MFHT2L

Stock Part: 142

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

A la llista de desitjos
DB3J406N0L
Panasonic Electronic Components

DB3J406N0L

Stock Part: 168202

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 75mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

A la llista de desitjos
ND412426
Powerex Inc.

ND412426

Stock Part: 171

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 2400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 260A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 1500A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
ND410635
Powerex Inc.

ND410635

Stock Part: 119

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 350A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 1000A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRF1550CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1550CTHC0G

Stock Part: 138

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
UGF1005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1005GHC0G

Stock Part: 132

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SRS2090 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2090 MNG

Stock Part: 169

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
GP1603 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1603 C0G

Stock Part: 74

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
UGF2004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2004G C0G

Stock Part: 113

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR10L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CTHC0G

Stock Part: 132

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR10100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10100CTHC0G

Stock Part: 141

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
GP1606 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1606 C0G

Stock Part: 79

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRF15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15150CT C0G

Stock Part: 107

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRS20100CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20100CT-Y MNG

Stock Part: 113

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRF1050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050CTHC0G

Stock Part: 98

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2090CT C0G

Stock Part: 82

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L120CT C0G

Stock Part: 68

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SRF16100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF16100HC0G

Stock Part: 160

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRS1550CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1550CTHMNG

Stock Part: 117

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRS4060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS4060CT MNG

Stock Part: 120

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
UGF1006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1006GHC0G

Stock Part: 130

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
GP1001HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1001HC0G

Stock Part: 92

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR2550CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2550CT C0G

Stock Part: 111

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SRS1090HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1090HMNG

Stock Part: 160

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRS25150CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS25150CT MNG

Stock Part: 144

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.02V @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-20CTQ150STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150STRRHM3

Stock Part: 52621

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-15CTQ040-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ040-1-M3

Stock Part: 115878

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 7.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-43CTQ100STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100STRLHM3

Stock Part: 41679

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 810mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SS12P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4C-M3/87A

Stock Part: 176480

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-MBRB20100CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTR-M3

Stock Part: 76898

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-16CTQ100S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100S-M3

Stock Part: 87159

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MSRT25080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT25080(A)

Stock Part: 1344

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 250A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 250A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MSRTA40080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA40080(A)

Stock Part: 1195

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 400A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
TBAV70,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

Stock Part: 171499

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 215mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRF20200CT-JT
Diodes Incorporated

MBRF20200CT-JT

Stock Part: 102317

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 890mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos