Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Matrius

VS-16CTQ080S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080S-M3

Stock Part: 85835

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-43CTQ100-011HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100-011HN3

Stock Part: 40430

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 810mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-15CTQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ035STRR-M3

Stock Part: 91136

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 7.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-32CTQ025STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025STRLHM3

Stock Part: 52402

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 25V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 490mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-MBRD650CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD650CTTR-M3

Stock Part: 159302

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-4CSH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH01-M3/86A

Stock Part: 186384

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-32CTQ030STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030STRLHM3

Stock Part: 52472

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 490mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-32CTQ025-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025-1HM3

Stock Part: 63269

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 25V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 490mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SS8P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P4CHM3_A/I

Stock Part: 180307

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-6CWQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ03FNTRL-M3

Stock Part: 169876

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MSRT250120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

Stock Part: 1374

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 250A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 250A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR60040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTR

Stock Part: 665

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRF10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10L100CT C0G

Stock Part: 149

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR1560CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1560CTHC0G

Stock Part: 160

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRF2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2090CT C0G

Stock Part: 130

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRF20100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20100CTHC0G

Stock Part: 73

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
UGF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2005GHC0G

Stock Part: 106

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SR20150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150PTHC0G

Stock Part: 156

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SR1620HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1620HC0G

Stock Part: 104

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
HER1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1004G C0G

Stock Part: 130

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRF20150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20150CTHC0G

Stock Part: 78

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CT C0G

Stock Part: 119

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR1545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1545CT C0G

Stock Part: 96

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SR10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR10100HC0G

Stock Part: 107

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15150CT C0G

Stock Part: 128

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SRS16100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100HMNG

Stock Part: 79

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRF2535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2535CT C0G

Stock Part: 145

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 12.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
GP1601 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601 C0G

Stock Part: 106

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
FERD40M45CG-TR
STMicroelectronics

FERD40M45CG-TR

Stock Part: 94309

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: FERD (Field Effect Rectifier Diode), Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
STTH2003CGY-TR
STMicroelectronics

STTH2003CGY-TR

Stock Part: 51763

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

Stock Part: 146

Configuració del díode: 3 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 80mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

A la llista de desitjos
CDBD20100-HF
Comchip Technology

CDBD20100-HF

Stock Part: 101509

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
CDBT-70C-G
Comchip Technology

CDBT-70C-G

Stock Part: 156683

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 70V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 70mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 15mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

A la llista de desitjos
CDBV3-54S-G
Comchip Technology

CDBV3-54S-G

Stock Part: 124599

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

A la llista de desitjos
CDBD10200-G
Comchip Technology

CDBD10200-G

Stock Part: 119712

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
NRVHP420MFDWFT1G
ON Semiconductor

NRVHP420MFDWFT1G

Stock Part: 80

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos