Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Matrius

GP1603HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1603HC0G

Stock Part: 104

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SR16150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR16150PTHC0G

Stock Part: 142

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SR1630HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1630HC0G

Stock Part: 94

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRS25100CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS25100CT MNG

Stock Part: 114

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR2090PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2090PT C0G

Stock Part: 139

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR6045PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR6045PT C0G

Stock Part: 165

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SRS2090HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2090HMNG

Stock Part: 104

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR2550CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2550CTHC0G

Stock Part: 98

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
HER1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1602G C0G

Stock Part: 91

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR1590CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1590CTHC0G

Stock Part: 127

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR20200PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200PT C0G

Stock Part: 151

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.02V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SR1630PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1630PTHC0G

Stock Part: 135

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR20100PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20100PTHC0G

Stock Part: 164

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRS2045CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2045CTHMNG

Stock Part: 135

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR2045CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2045CTHC0G

Stock Part: 82

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRF30L120CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30L120CTHC0G

Stock Part: 151

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SRS1020 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1020 MNG

Stock Part: 158

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRF20200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20200CTHC0G

Stock Part: 129

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRS25100CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS25100CTHMNG

Stock Part: 170

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
UGF2007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2007GHC0G

Stock Part: 130

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 500V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
HER1605PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1605PT C0G

Stock Part: 105

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBR10150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10150CTHC0G

Stock Part: 84

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MBRF1050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050CT C0G

Stock Part: 79

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
RB095BGE-40TL
Rohm Semiconductor

RB095BGE-40TL

Stock Part: 106

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 3A,

A la llista de desitjos
RBQ10NS65AFHTL
Rohm Semiconductor

RBQ10NS65AFHTL

Stock Part: 70

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 65V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 690mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-30CTQ045HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045HN3

Stock Part: 69836

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-12CWQ10FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNTRHM3

Stock Part: 62726

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-MBR2080CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2080CT-1-M3

Stock Part: 91755

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-47CTQ020STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020STRL-M3

Stock Part: 56475

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-MBR2545CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2545CT-1-M3

Stock Part: 92087

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
VS-16CTQ080STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080STRRHM3

Stock Part: 75235

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
SS10P2CL-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P2CL-M3/87A

Stock Part: 138730

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
MSRT15080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT15080(A)

Stock Part: 1880

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 150A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
STTH1302CG-TR
STMicroelectronics

STTH1302CG-TR

Stock Part: 143562

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 6.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 6.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
DB5S308K0R
Panasonic Electronic Components

DB5S308K0R

Stock Part: 154894

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 420mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

A la llista de desitjos
CDBD1040-G
Comchip Technology

CDBD1040-G

Stock Part: 139016

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos