Diodes - Rectificadors - Individuals

Casa
Diodes - Rectificadors - Individuals

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15ETH03SPBF

Stock Part: 38832

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 32ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300UR20A

Stock Part: 1638

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 942A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P45-M3/87A

Stock Part: 183477

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4.8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

VS-4ESH01HM3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH01HM3/87A

Stock Part: 197463

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 930mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8PH9HM3_A/H

Stock Part: 166

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P12-M3/86A

Stock Part: 157214

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PG-M3/87A

Stock Part: 108288

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 4A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB260-E3/53

Stock Part: 144793

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PL6-M3/87A

Stock Part: 187671

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4.3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P6HM3_A/H

Stock Part: 152

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PJ-M3/87A

Stock Part: 101943

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 4A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM12HM3_A/H

Stock Part: 141957

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3.9A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 830mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2H90-E3/73

Stock Part: 113560

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P6-M3/87A

Stock Part: 179446

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4.3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 590mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PBHM3_A/H

Stock Part: 133056

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 4A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8PH10HM3_A/I

Stock Part: 115

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25FR60

Stock Part: 11665

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 78A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P10HM3_A/I

Stock Part: 154

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045S-M3

Stock Part: 95130

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 18A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 18A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR120/54

Stock Part: 181036

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 875mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

VS-10TQ045STRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045STRR-M3

Stock Part: 89375

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P45S-M3/87A

Stock Part: 178148

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4.4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ10FNHM3

Stock Part: 84421

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 770mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

VS-30WQ10FNTRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FNTRR-M3

Stock Part: 114111

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 810mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

VS-10TQ045STRL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045STRL-M3

Stock Part: 87830

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

VS-4ESH01-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH01-M3/86A

Stock Part: 185400

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 930mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNHM3

Stock Part: 163878

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 460mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P45-M3/86A

Stock Part: 184786

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4.3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20TQ045S-M3

Stock Part: 98453

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

VS-MBRB1035TRL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1035TRL-M3

Stock Part: 99247

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM10HM3/H

Stock Part: 161

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P6-M3/87A

Stock Part: 148947

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4.6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 610mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P45HM3_A/I

Stock Part: 140

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

VS-MBRD330TRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD330TRR-M3

Stock Part: 124872

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD340-M3

Stock Part: 188216

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

VS-10WQ045FNTRL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNTRL-M3

Stock Part: 174495

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 630mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

3600

«
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
»