Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 100

VS-50WQ10FNTRRHM3

Stock Part: 84456

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 770mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ035S-M3

Stock Part: 137173

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P10HM3_A/I

Stock Part: 165407

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4HE3/85A

Stock Part: 147714

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V25PL60-M3/87A

Stock Part: 175827

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 630mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100STRL-M3

Stock Part: 89223

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PG-M3/86A

Stock Part: 155152

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 4A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P2L-M3/87A

Stock Part: 190434

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 560mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FN-M3

Stock Part: 160826

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 810mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P8-M3/87A

Stock Part: 174345

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4.6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 660mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM10-M3/H

Stock Part: 163

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045STRR-M3

Stock Part: 74294

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 18A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 18A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTR-M3

Stock Part: 149737

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 460mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045STRR-M3

Stock Part: 89952

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 560mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5PMS-M3/86A

Stock Part: 103193

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 940mV @ 2.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040STRL-M3

Stock Part: 90505

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 560mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM10HM3/I

Stock Part: 136

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH02HM3/87A

Stock Part: 162247

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 930mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1045-M3

Stock Part: 127819

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1045TRL-M3

Stock Part: 41979

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ03FNTRR-M3

Stock Part: 150468

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3HM3_A/H

Stock Part: 184643

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 560mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRR-M3

Stock Part: 193615

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FNTRL-M3

Stock Part: 194467

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 610mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PJHM3_A/I

Stock Part: 196085

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 4A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3LHM3_A/H

Stock Part: 153102

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTRLHM3

Stock Part: 163940

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 460mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ10FNTRHM3

Stock Part: 84444

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 770mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5PMS-M3/87A

Stock Part: 117706

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.5µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4LHM3_A/I

Stock Part: 197445

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100BGQ015HF4

Stock Part: 15969

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 15V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P45HM3_A/H

Stock Part: 125

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1645TRR-M3

Stock Part: 73811

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 630mV @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10D-4003HE3/54

Stock Part: 133983

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB220-E3/54

Stock Part: 164121

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100SHM3

Stock Part: 83725

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió