Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
S1AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFG-M3/6A

Stock Part: 112349

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.47µs,

Cessió
VSSAF3M10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10-M3/H

Stock Part: 100

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS10P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P6HM3_A/I

Stock Part: 182602

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 7A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 670mV @ 7A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFK-M3/6A

Stock Part: 171353

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.47µs,

Cessió
SS10PH45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH45HM3_A/I

Stock Part: 141131

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V15P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P6HM3_A/I

Stock Part: 92

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V8P8-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8-M3/86A

Stock Part: 188033

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 660mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V8P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P15-M3/H

Stock Part: 163

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.08V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VS-6ESH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH01-M3/86A

Stock Part: 177394

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 940mV @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 22ns,

Cessió
VT5202-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT5202-M3/4W

Stock Part: 92742

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SE30PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAGHM3/I

Stock Part: 178133

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.16V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.3µs,

Cessió
V15P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P8HM3_A/H

Stock Part: 164

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 660mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S4PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PKHM3_A/I

Stock Part: 101974

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 4A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió
SB2H100-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2H100-E3/54

Stock Part: 180596

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V12P15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15-M3/I

Stock Part: 124

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.08V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS5P9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P9HM3_A/I

Stock Part: 128

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V8P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8HM3_A/H

Stock Part: 171

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 660mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS10P3HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3HM3_A/I

Stock Part: 157059

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 560mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V8PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAL45-M3/I

Stock Part: 128585

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS3P6LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6LHM3_A/H

Stock Part: 163508

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V12P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P8-M3/87A

Stock Part: 199224

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4.3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 660mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V15P12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P12HM3/H

Stock Part: 107

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 810mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V12P15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15HM3/H

Stock Part: 128

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.08V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VSSAF510HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510HM3/H

Stock Part: 142

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VS-2EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH02-M3/6B

Stock Part: 116384

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 930mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió
VSSAF5M12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M12-M3/I

Stock Part: 68

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 890mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VS-2EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH01HM3/6B

Stock Part: 103724

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 930mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió
VS-400UR160D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-400UR160D

Stock Part: 1361

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 400A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.62V @ 1500A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VS-SD400N20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-SD400N20PC

Stock Part: 741

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 2000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 400A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.62V @ 1500A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VSSAF510-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510-M3/I

Stock Part: 114

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS1FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1FN6-M3/I

Stock Part: 103

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 530mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V10PM12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM12-M3/86A

Stock Part: 160229

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3.9A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 830mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V8PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAN50-M3/I

Stock Part: 188473

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3.7A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 420mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VSSAF5L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5L45-M3/6A

Stock Part: 99042

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 560mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SE30PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAG-M3/I

Stock Part: 119037

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.16V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.3µs,

Cessió
VSSAF512-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF512-M3/I

Stock Part: 67

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió