Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
VS-3EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH01HM3/6A

Stock Part: 165175

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 930mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 18ns,

Cessió
SB1H90-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB1H90-E3/73

Stock Part: 176647

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 770mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S1PD-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PD-M3/85A

Stock Part: 115870

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió
SS24-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24-E3/5BT

Stock Part: 181211

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS3H9-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3H9-M3/57T

Stock Part: 159623

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UG4C-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4C-E3/54

Stock Part: 177524

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió
VS-10BQ015HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10BQ015HM3/5BT

Stock Part: 189348

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 15V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 330mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VSSAF5M15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M15-M3/H

Stock Part: 151

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RS2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2D-M3/52T

Stock Part: 156675

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
VS-3EGU06-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EGU06-M3/5BT

Stock Part: 178519

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió
VS-MBRS190-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRS190-M3/5BT

Stock Part: 185272

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 780mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VS-3EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH02HM3/6A

Stock Part: 178329

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 930mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 18ns,

Cessió
SL42-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SL42-E3/57T

Stock Part: 165298

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 420mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V8PAM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAM12-M3/I

Stock Part: 136

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S1AFJ-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFJ-M3/6A

Stock Part: 190753

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.47µs,

Cessió
GPP10J-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10J-E3/73

Stock Part: 115689

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VS-10BQ040HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10BQ040HM3/5BT

Stock Part: 133136

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UG1A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1A-E3/54

Stock Part: 164168

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió
SS2PH10-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH10-M3/85A

Stock Part: 169958

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS2PH5HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH5HM3/85A

Stock Part: 102737

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
CS3K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

CS3K-E3/I

Stock Part: 156130

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.8µs,

Cessió
GPP10J-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10J-E3/54

Stock Part: 102282

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S1PM-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PM-M3/85A

Stock Part: 147401

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió
S2KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S2KHE3_A/I

Stock Part: 171812

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
V8PA10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA10-M3/I

Stock Part: 110

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 760mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S2K-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

S2K-M3/52T

Stock Part: 117990

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
V20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20150S-M3/4W

Stock Part: 106130

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VSSAF5M6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M6HM3/H

Stock Part: 77

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 660mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S3M-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3M-M3/9AT

Stock Part: 181258

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió
SE30PAD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAD-M3/I

Stock Part: 166924

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.16V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.3µs,

Cessió
V8PA15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA15-M3/I

Stock Part: 123

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V8PA12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA12-M3/I

Stock Part: 156

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 870mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RS3A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3A-M3/9AT

Stock Part: 179050

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 2.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
S3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3B-M3/9AT

Stock Part: 143312

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió
S1PG-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PG-M3/85A

Stock Part: 167861

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió
V10P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P8-M3/87A

Stock Part: 156354

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3.9A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió