Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 100

BYG24G-M3/TR

Stock Part: 160213

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR

Stock Part: 141773

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR3

Stock Part: 131968

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR3

Stock Part: 182415

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR3

Stock Part: 178714

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR3

Stock Part: 104636

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/H

Stock Part: 136458

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/H

Stock Part: 128490

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23T-M3/TR3

Stock Part: 129800

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.9V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I

Stock Part: 120649

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/I

Stock Part: 155324

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/I

Stock Part: 188118

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/H

Stock Part: 135545

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR

Stock Part: 137182

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H

Stock Part: 196477

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR

Stock Part: 116559

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/H

Stock Part: 167113

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I

Stock Part: 151425

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR3

Stock Part: 167334

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR3

Stock Part: 177836

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR

Stock Part: 116100

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR

Stock Part: 126510

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/H

Stock Part: 113240

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR3

Stock Part: 197556

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/I

Stock Part: 112695

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/H

Stock Part: 164441

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR

Stock Part: 174425

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR3

Stock Part: 199071

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR3

Stock Part: 120482

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/H

Stock Part: 162395

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR3

Stock Part: 109092

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR

Stock Part: 111717

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 120ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR3

Stock Part: 162156

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I

Stock Part: 131985

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR

Stock Part: 142403

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/I

Stock Part: 178334

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió